比SIC碳化硅MOSFET和JFET更先进的器件超结晶体管 (SJT)
1、MOSFET 反向恢复值很大(Reverse Diode Characteristics)，所以一般会建议添加diode。
2、JFET 是一个“常开”性器件，控制方式非常复杂。
3、SJT 是一个“常关”性器件，是替代IGBT下一代技术，更高的开关频率(200KHZ)，更低的开关与导通损耗，驱动损耗最低（5V），更小的电容、电感与散热器，降低无源器件成本（20%-30%）。
SJT的特性/好处
超高电流增益 BJT
常关型，准多数载流子器件技术
工作温度范围到 250℃
Vf 的正温度系数，易于并联使用
温度独立的超快开关瞬态
应用
航天和国防
井下石油钻井, 地热测试设备
混合电动车辆
太阳能逆变器
开关电源
功率因数校正
UPS 和电机驱动
• SiC SJTs
Ø 导通电阻 250 mΩ
Ø 额定电压 1200 V
Ø 业内标准封装
Ø RoHS 认证
