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用UC3843搭了个电路，但是低温试验下，起机不正常，炸机，附MOSFET驱动与DS波形

用UC3843搭了个电路，但是低温试验下，起机不正常，炸机，附MOSFET驱动与DS波形

常温时可以，低温下不行，用的FQA13N80以及UC3843电路。波形上边一个为Vds波形，下边一个为对应的Vgs波形，不知道为何MOSFET在电源打嗝不停重启动期间，没有由截止进入饱和？图中为低压100Vac下的输入下的轻载波形。高压下265Vac输入时，启动就很容易炸机了。明显MOSFET的工作状态异常。

为了对应EMI，所以驱动电阻为10+39欧；放电时反并一个1N4148在39欧上。其他基本上与普通3843无区别。

现在就是想分析下，MOSFET为何在高占空比下，不进入导通状态？放电时间不足？

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LV.7

2

2014-05-13 16:27

开机占空比太大了，应该限制开环占空比，同时增加软起动电路

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LV.9

3

2014-05-14 13:10

@luck_gfb

开机占空比太大了，应该限制开环占空比，同时增加软起动电路

Vds之间需要加上反向的二极管，你的图明显显示的Vds持续导通，不炸才怪

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LV.10

4

2014-05-14 13:30

MOSFET就是可以双向导通的，它开通的时候相当于一个电阻。同步整流就是根据这个来的利用它的RDSon很小的优势来提高效率。二极管最多做到0.3V就不错啦，可是MOS可以使开通的电压做到几十mV

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LV.10

5

2014-05-15 11:24

@山东大汉

MOSFET就是可以双向导通的，它开通的时候相当于一个电阻。同步整流就是根据这个来的利用它的RDSon很小的优势来提高效率。二极管最多做到0.3V就不错啦，可是MOS可以使开通的电压做到几十mV

你这答非所问。楼主这个问题我给你的意见是换个UC2843试下。没说低温是多少度。

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LV.1

6

2014-05-15 23:08

是不是电容ESR太大?

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LV.10

7

2014-05-19 15:33

占空比太大了，可能是磁芯无法复位，导致磁芯饱和，从而导致MOS管炸机。

可能低温下磁芯的Bm会减小吧，看下Bm是否留有足够的裕量。

也可能是低压下，电解电容等器件的特性变差导致电源工作不正常，可试着增大电解电容试下。

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LV.8

8

2014-05-20 21:02

启机占空比太大了，加软启动吧

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LV.10

9

2014-05-27 00:33

占空比偏大，是不是设计电路变压器参数有问题，把原理图贴上来给大家看看？

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LV.10

10

2014-05-28 14:33

@wheelzhou

Vds之间需要加上反向的二极管，你的图明显显示的Vds持续导通，不炸才怪

原理图帖出来给大家看看？大家也才好分析。。。

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LV.9

11

2014-05-30 09:19

1、加软启动、2、低温下电容是不是有问题？

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LV.10

12

2014-05-30 10:10

@新月GG

占空比太大了，可能是磁芯无法复位，导致磁芯饱和，从而导致MOS管炸机。可能低温下磁芯的Bm会减小吧，看下Bm是否留有足够的裕量。也可能是低压下，电解电容等器件的特性变差导致电源工作不正常，可试着增大电解电容试下。

哥哥说的没错.

另外建议加入软启动.

384X本来就有软启动功能的.

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LV.5

13

2014-05-30 10:12

在低温多少度下启动不了，如果实在太低的话，需要改动占空比

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LV.8

14

2014-05-30 14:35

照1楼老大的方法改一下，会议作用的

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LV.7

15

2014-05-30 16:19

占空比太大了放电回路不行

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LV.10

16

2014-05-30 17:04

@ta7698

1、加软启动、2、低温下电容是不是有问题？

那用UC芯片来做, 增大电解电容

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