概述：
M8900 是一款原边反馈、带单级有源PFC 高精度的LED 恒流控制芯片，M8900 集成了单级有源PFC 线路，可实现较高的功率因素和很低的总谐波失真，芯片可以进入准谐振模式，从而实现较高的效率和降低的开关损耗。M8900 内置了多重保护功能来保证系统的可靠性，包含LED 开路保护、芯片过压保护和UVLO欠压保护、LED 短路保护、逐周期限流等。
特点：
原边反馈省去光耦和TL431等器件
单级有源功率因素校正PF>0.9
高精度的LED恒流输出
超低启动电流10uA（TPY）
谷开关技术、较低MOS管的开关损耗
LED短路和LED开路保护
优异的线电压调整率和负载调整率
采用SOP8封装
应用：
LED筒灯、射灯
LED平板灯、天花灯LED
T8灯管、T5灯管
LED PAR30、PAR38灯
管脚信息：
产品包装信息：
芯片使用时极限参数：
推荐使用工作范围：
注1：芯片超过了最大指定值，有可能造成芯片损坏，请严格按照推荐的参数范围使用，对于未给定上下限值的参数，此规范不予保证其精度，典型值合理的反映了器件的性能。
注2：温度升高最大功耗一定会减小，这是由TJMAX，θJA 和环境温度TA 所决定。
芯片内部结构框图：
电气参数：无特别说明情况下，
VDD=12V，TA=25℃
应用信息：
M8900 是一款原边反馈、单级有源PFC LED 恒流控制芯片，工作在电感电流临界连续模式，芯片可以实现很高的功率因素和较高的效率。
VDD 引脚使用注意事项：
VDD 为IC 供电脚。当IC 初始启动时需要原边高压侧供电，启动后为辅助绕组供电。初始启动时，因为原边高压侧供电，故调整启动电阻值，可以改变启动时间；如果在低压情况下启动不了，也可以减小启动电阻得以改善。启动后辅助绕组供电建议设置辅助绕组为11V 来供电。不宜太高，建议低于12V。若采用11V，则辅助绕组匝数Naux= Ns*11/(Vout+VDF)，VDF 为输出二极管压降，Ns 为副边匝数。
COMP 脚使用注意事项：
COMP 脚为补偿脚，此脚对地接法如下图4 所示：COMP 脚对GND 所接的补偿值的大小对IC 工作较为重要。在高压220VAC 或者更高时，需要PF>0.9 时，增大C6 的容值1uF~2.2uF,即可。（如果M8900 实际测试的时候，PF 值在0.8 以下的，大都是变压器或者其它设计问题，改变这个电容是改善不了的）,PCB 布板的时候，如果有空间足够的话，可以把C 加上，大概在100pF~0.1uF，该电容可起到滤除高频噪声的作用。
SEN 和DRV 脚使用注意事项：
SEN 脚为电流检测脚，此脚引线直接连接到原边MOS 管的源级（不能串接电阻），输出电流Iout=0.05*n/Rsen，n 为原副边匝比比值，Rsen 为采样电阻阻值。走线要尽量粗且短。DRV 为MOS 管栅极驱动脚。在DRV 脚和MOS 管G 极(栅极)之间连接一驱动电阻R，是为了改变MOS 管开通及关断速度，R 通常取值10Ω或20Ω。MOS 管栅极对地要接一个R1 为10K 电阻，是为了当IC 停止工作时，让栅源级间电容的电荷通过此电阻R1 放掉，以防止MOS 管栅级悬空后误动作。在某些场合对EMI 要求比较高的情况下，可加大驱动电阻R ，减小开关速度，改善EMI。
INV 脚使用注意事项：
INV 脚的电压高于1.5V 700nS 的时候，IC 将进入过压保护，首先确定好输出Vo/Vp 值，根据下面的公式
计算出正常工作时INV 脚的电压VINV:
Vaux 为辅助绕组输出电压，为IC 供电，即VDD，我们一般设置为11V，R3 通常选用200K。INV 上的的两个电阻值还与恒流精度有关，
当Vin 增大时，如果Iout 会增加，则同时减少Vout 上的两个分压电阻，比例不变。
当Vin 减少时，如果Iout 会减少，则同时增加Vout 上的两个分压电阻，比例不变。
PCB 布板时注意事项：
SEN pin 到MOS S 端线尽量粗且短。
输入测电流回路面积尽量小。
电流采样线和驱动线避免平行布线。
去耦电容靠近芯片。
芯片避免布线在输入侧功率回路内。
地线布线要注意避免产生地回路。
