国内半导体器件经过多年的研究学习，目前国内半导体设计公司逐步学会了部分产品的技术，产品也陆续推向市场。
VDMOS，已经在2007年左右实现国产化，目前已经占有不少国内市场份额，
IGBT NPT planner工艺产品已经杀的及其血腥，基本没有利润可言了。
CoolMOS这两年也在国内陆续国产化，分为Trench CoolMOS和 Multi-EPI CoolMOS，两种工艺，
领军公司：
Multi-EPI CoolMOS 工艺 ： 英飞凌 FC
Trench CoolMOS 工艺： Toshiba
国内同样也拥有两种工艺产品
目前主要是
Multi-EPI CoolMOS 工艺：超致半导体
Trench CoolMOS 工艺：华虹平台公司（NCE，龙腾。。。。。。。）
但是CoolMOS之间也是有差异的，有时候DC参数看是比较接近，实际使用过程中同样会遇到不同的问题。
•Multi-EPI工艺
该工艺也是开发最早，做成熟的工艺，英飞凌一直采用该工艺生产其CoolMOS，后续跟上的还有ST，FC， Super Semi(超致半导体)
•Deep-Trench工艺
•该工艺是通过另外一种相对简单的工艺来实现超结的一种手段。目前主要有Toshiba，华虹平台。
