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不同测试条件下,如何判断MOSFET‘单脉冲雪崩能量’参数优劣?

请教各位老师,有两款Power MOSFET,它们的‘单脉冲雪崩能量’参数值标示为A= 90 mJB= 390 mJ

AB两管的测试条件不同,该如何判断哪一款的‘单脉冲雪崩能量’参数好一点?请指点一二为盼!

 

参数标示值如下:

---------------------------------------------------------------

MOSFET A:

Test Condition : Starting TJ = 25°C, L = 0.2mH, IAS = 30A.

Symbol   Parameter                                   Value   Unit

EAS         Single Pulse Avalanche Energy   90        mJ

---------------------------------------------------------------

MOSFET B:

Test Condition : Starting TJ = 25°C, L = 7.8mH, IAS = 10A.

Symbol   Parameter                                   Value   Unit

EAS         Single Pulse Avalanche Energy   390      mJ

 

全部回复(3)
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zwcyqxzcx
LV.6
2
2016-04-07 21:14
沉了、、、帮楼主顶一顶,期待高手来解决
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操作工
LV.3
3
2016-04-08 10:16
个人觉得以实际电路需要为准,不同的管子适用的场合不同,不好说管子优略的吧。
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drawnet
LV.1
4
2016-04-08 11:19
@操作工
个人觉得以实际电路需要为准,不同的管子适用的场合不同,不好说管子优略的吧。

多谢关注!一直用#1 EAS=90mJ的那款管子,但是发现偶尔突发栅极驱动信号大两倍以上的情况下,管子就很容易雪崩击穿失效。

 

#2管子规格书中其他参数和#1基本相同,但EAS参数标示大了很多,只是它们的EAS测试条件不同。

 

所以很想知道当规格书中#1#2EAS参数的测试条件不同时,该如何判断其EAS参数值比较优秀点。

 

 

 

 

 

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