我设计55kW变频器,用的英飞凌FF200R12KT4模块,在IGBT模块上加放电阻止型RCD吸收电路,电容0.68uF,二极管为快速软关断BYW96E,电阻10R,但是电阻发热厉害:电阻功率40W时,电力80A时,电阻温度达到76度。我把电阻加到100W,仍然发热比较厉害,烫手。请问如何解决啊???
因为结构问题,虽然用了层叠母线,但是我的变频器杂散电感比较大,这个结构已经很难改变了,但是问题是如何在现有条件下吸收,并且电阻不能发热太厉害。
我设计55kW变频器,用的英飞凌FF200R12KT4模块,在IGBT模块上加放电阻止型RCD吸收电路,电容0.68uF,二极管为快速软关断BYW96E,电阻10R,但是电阻发热厉害:电阻功率40W时,电力80A时,电阻温度达到76度。我把电阻加到100W,仍然发热比较厉害,烫手。请问如何解决啊???
因为结构问题,虽然用了层叠母线,但是我的变频器杂散电感比较大,这个结构已经很难改变了,但是问题是如何在现有条件下吸收,并且电阻不能发热太厉害。
"大约20多分钟后,IGBT模块炸了"
显然不是因为过压问题,而是开关损耗过大,过热损毁。一般做通用变频器是不需要RCD吸收来降低IGBT的开关损耗的,你的设计有问题。
首先,驱动FF200R12KT4的驱动电阻应该为2.4Ω,配合的驱动器应该达到5A的驱动能力。可用M57962L,这是必须的。
其次,频率不宜太高,一般为5 --- 6kHz。
第三,必须有良好的散热器和强迫风冷。