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我想用20个功率MOSFET并联工作,用作开关,注意事项?建议?
我想用20个功率MOSFET并联工作,用作开关,注意事项?建议?
电压500V,电流达400A,我想用20个IR460并联,可否?开关频率很低.请大家踊跃建议,讨论呀!
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xkw1
LV.9
2
2004-12-02 14:36
赶紧滞住,IRFP460换成IRFPS43N50K-86mO的FET,至少可以少并些.
或用600V的IGBT:单管200A的GA200SA60S(2或3并)或半桥470A的GA200HA60S
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oude
LV.5
3
2004-12-02 16:21
@xkw1
赶紧滞住,IRFP460换成IRFPS43N50K-86mO的FET,至少可以少并些.或用600V的IGBT:单管200A的GA200SA60S(2或3并)或半桥470A的GA200HA60S
是阿,为什么不用IGBT呢?
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chc-2004
LV.5
4
2004-12-02 19:38
从理论上说应该不成问题,但是实际操作上可能会有些问题.因为实际的管子特性会有些差异.工作过程中导通和截止会有先后,先导通(或后截止)的管子负担过重.如果超出这只管子的承受能力就会损坏.往往由于一只管子的损坏带来一连串的问题,甚至损坏其它元件.
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wjjwyf
LV.2
5
2004-12-02 20:36
@chc-2004
从理论上说应该不成问题,但是实际操作上可能会有些问题.因为实际的管子特性会有些差异.工作过程中导通和截止会有先后,先导通(或后截止)的管子负担过重.如果超出这只管子的承受能力就会损坏.往往由于一只管子的损坏带来一连串的问题,甚至损坏其它元件.
我见过用8个并的
20个?
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grtang
LV.7
6
2004-12-02 21:46
由于layout的差异,怎样控制每个管子的电流相等.
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tiger武
LV.6
7
2004-12-02 21:50
@xkw1
赶紧滞住,IRFP460换成IRFPS43N50K-86mO的FET,至少可以少并些.或用600V的IGBT:单管200A的GA200SA60S(2或3并)或半桥470A的GA200HA60S
对啊,为什么不能用电流定额更大的,这样可以少用不少管子,你要知道,管子越多,越复杂,越不可靠!
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tired
LV.6
8
2004-12-02 22:21
开关频率很低就不该用mosfet,该用其他的
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xkw1
LV.9
9
2004-12-03 10:27
@wjjwyf
我见过用8个并的20个?
并多不是问题,早期;我有128只IRF460并的,均流系数可以到1.1,25KHZ工作,但;那是没办法的办法.你看电路多复杂!还要冗余设计!
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chc-2004
LV.5
10
2004-12-03 16:33
@grtang
由于layout的差异,怎样控制每个管子的电流相等.
并联的MOS管只要性能不是相差太远会有自动均流效应.
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kent0448
LV.1
11
2004-12-03 17:12
大电流的情况下选IGBT功耗更低呀
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myr123654
LV.2
12
2004-12-13 13:37
@chc-2004
从理论上说应该不成问题,但是实际操作上可能会有些问题.因为实际的管子特性会有些差异.工作过程中导通和截止会有先后,先导通(或后截止)的管子负担过重.如果超出这只管子的承受能力就会损坏.往往由于一只管子的损坏带来一连串的问题,甚至损坏其它元件.
我同意这位老兄的观点.此外,20只管子并联也太麻烦了,既浪费空间,又不一定能节省成本,为何不考虑用IGBT或者是模块呢?
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xlg324
LV.3
13
2004-12-14 09:16
你不会是因为用单管成本比较低才用的把
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