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请教大侠,MOS晶体管的损耗问题!

请大侠指点,在开关电源中,MOS管的导通损耗可根据RDSON与导通电流算出来,但其开关损耗如何估算啊,与导通损耗有没有什么倍数之类的关系啊?
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xue007
LV.9
2
2007-08-10 23:09
开关损豪和导通损耗没直接的关系
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lyqqq
LV.3
3
2007-08-11 09:43
MOS的損耗由導通損耗,上升下降損耗和驅動損耗組成.驅動由IC消耗掉.上升下降損耗受頻率影響,也就是硬開關頻率不容易做高的原因.如太快會影響EMI.導通由MOS內阻影響.
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