• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

小技艺!

在一些应用中常用几个MOSFET并联扩流或散热.
当用有保护的电源调试系统时不小心电路出了问题时,通常只会烧一个管.用万用表打在电阻挡,检测每个MOSFET的D-G的电压,红笔接D,电阻最小的那个MOSFET就是损坏的那个.
全部回复(27)
正序查看
倒序查看
liuxr
LV.4
2
2005-02-02 11:50
好啊!多點上傳吧!
0
回复
2005-02-02 14:34
有没有了还?
0
回复
chen5580
LV.4
4
2005-04-09 20:06
@斯文败类
有没有了还?
你还有其他的吗??
0
回复
2005-05-27 18:17
是不用拆下来量吗?
0
回复
chc-2004
LV.5
6
2005-05-27 18:20
@砖块电源
是不用拆下来量吗?
0
回复
2005-05-28 09:36
是在断电还是上电的情况下??万用表的电阻打到什么档位??
IGBT呢是不是同样的道理啊??
0
回复
2005-06-02 10:39
要是全部都并联了怎么办
0
回复
daihuabo
LV.2
9
2005-07-25 23:18
我也听别人讲过  刚开始不理解    MOS 不是随温度上升电阻会变大吗.
那这不就刚好可以做到THERMAL平衡吗.可实际不是这样的  我想是即使是
相同的MOS 参数还是有差异的结果吧.
0
回复
hvic
LV.4
10
2005-07-26 18:19
@daihuabo
我也听别人讲过  刚开始不理解    MOS不是随温度上升电阻会变大吗.那这不就刚好可以做到THERMAL平衡吗.可实际不是这样的  我想是即使是相同的MOS参数还是有差异的结果吧.
一定有差异的,最厉害要有正负30%
0
回复
沧海笑
LV.1
11
2006-05-22 14:37
我要虚心的向你学习哦.
0
回复
李绍波
LV.9
12
2006-05-22 17:24
@daihuabo
我也听别人讲过  刚开始不理解    MOS不是随温度上升电阻会变大吗.那这不就刚好可以做到THERMAL平衡吗.可实际不是这样的  我想是即使是相同的MOS参数还是有差异的结果吧.
但当受不了时总有一个先坏,不可能同时坏的,坏了1支后电源短路,烧保险,如无保险,烧断与这支管的线路,然后烧下一支管,(就像打CS时,N个人打一个只有1分的人,不管你多么同时,肯定只有一个人先打到)
0
回复
2006-05-22 21:31
该怎样保护场效应管
0
回复
daihuabo
LV.2
14
2006-05-23 21:40
@lhdj987654321
该怎样保护场效应管
不知是什么方面的保护
0
回复
andywong
LV.3
15
2006-05-23 23:38
用示波器来看更加快,波形不正常的那个就是了.
0
回复
hintman
LV.5
16
2006-05-24 21:01
@daihuabo
我也听别人讲过  刚开始不理解    MOS不是随温度上升电阻会变大吗.那这不就刚好可以做到THERMAL平衡吗.可实际不是这样的  我想是即使是相同的MOS参数还是有差异的结果吧.
MOS导通电阻的正温度特性只影响MOS开启后的平衡,由于热传递的速率问题,也只能当作长期效应,对于开启和关断瞬间的损耗是没有办法平衡的.
0
回复
2006-05-24 23:58
@daihuabo
不知是什么方面的保护
场管莫名其妙的经常损坏,不知是何道理?
0
回复
2006-05-25 00:04
@daihuabo
不知是什么方面的保护
请教大哥:场管K2313用什么型号管子能代替?
0
回复
msipower
LV.1
19
2006-05-25 08:16
@斯文败类
有没有了还?
你也可以将电表打到“二极体”值的挡位,分别检测G、D、S相对的二极体值,正常为无穷大,烧掉的MOS的二极体值会很小.
0
回复
msipower
LV.1
20
2006-05-25 08:22
@砖块电源
是不用拆下来量吗?
有的时候要拆下量才可以,象几个mos并联使用的时候,D、S间短路的时候就打不出是那个短路,必须要拆下才可以量测
0
回复
msipower
LV.1
21
2006-05-25 08:22
@夏夜流萤
要是全部都并联了怎么办
呵呵
0
回复
msipower
LV.1
22
2006-05-25 08:24
@lhdj987654321
场管莫名其妙的经常损坏,不知是何道理?
看你是什么线路了???
0
回复
msipower
LV.1
23
2006-05-25 08:25
@andywong
用示波器来看更加快,波形不正常的那个就是了.
反对!并联的时候你量测波形都是异常的!!
0
回复
sinican
LV.8
24
2006-05-25 10:52
@msipower
你也可以将电表打到“二极体”值的挡位,分别检测G、D、S相对的二极体值,正常为无穷大,烧掉的MOS的二极体值会很小.
这需要断开每一个并联的才可以!China-One Enterprise Co., Ltd.
0
回复
msipower
LV.1
25
2006-05-26 12:58
@sinican
这需要断开每一个并联的才可以!China-OneEnterpriseCo.,Ltd.
非常正确
0
回复
sinican
LV.8
26
2006-05-26 14:39
@msipower
非常正确
谢谢领导批示!!China-One Enterprise Co., Ltd.
0
回复
wyzlsq
LV.6
27
2006-05-27 19:17
由于在并联中一般的MOSFET 都有栅极消振电阻,一般在几欧到几十欧左右,而损坏的一般都是三个极均穿通,所以直接用R*1档去测量R GS ,阻值极小的一组就是损坏的MOSFET.如果不行就断开栅极消振电阻再去测就可以了.比从散热片上一个个拆了再检查要方便得多.
0
回复
yinxiaofang
LV.4
28
2011-02-27 22:52
谢谢
0
回复