12V4A开关电源EMC问题讨论

因为传导余量较大,所以我想将Y电容由222改为102,再不行的话,我就将这个Y电容串磁珠看看.

这是发射测试曲线,

对不起,图片无法上传.

截图到绘图板,另存为 .jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20格式,或者做成PDF文件,以附件的形式上传

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谢谢,来啦: 675841198487212.pdf

该电源输入为两线输入,采用的滤波器为一级滤波,10毫亨+0.22UF,(控制芯片内置Frequency Jitter,测试传到有至少8db余量),变压器采用内屏蔽+外屏蔽,输出有一个300微亨的共模电感.该机为塑料外壳,不能用屏蔽层将PCBA包起来.

在输出整流二极管那里想点办法,更改一下并在二极管上的RC电阻.在二极管上串个磁竹试试.一般都是这里容易出问题.

這個地方,處理mos管比較好點,mos管 s極套個磁珠看看會不會下來,或者減慢驅動看看

因为之前我有遇到这样的问题,有改过.不过你可以试试你说的方法.

可以考虑用OB2353/4来做啊.   1、可外部调节的MOSSTET驱动功能,满足对功率输出,EMI及效率/温升的不同要求.   2、内置频率扩展功能,改善系统的EMI特性.   3、实现20W以下“NO Y-CAP”系统设计.   4、超低的空载功耗,满足自己2007年实施的全球各种能耗规范.   5、内置4ms软启动功能.   6、过压保护(OVP)   7、内置OCP被偿模块,实现优越的OCP特性.  

谢谢各位!    
   MOSFET源极和次级Retifier都套上了磁珠,我先前有测试过将驱动电阻改为100R*2,余量很大,但是后来客户说MOSFET的温度高了,实测在25度环境,MOSFET的温度为80度左右,后来我就把驱动电阻改为33R*2了,所以FCC就超了.我知道如果设计了外屏蔽的话,肯定不会有问题.现在关键是这个设计只有变压器用到了屏蔽,所以FCC会难点.
    我现在想问的是各位有没有经验发现Y电容减小(或套瓷珠)对发射有较大影响?
   也许要实际测试才能回答这个问题啊.

把MOSFET和散热器之间的绝缘垫片用上2片试试

套磁珠會影響傳導部分,是不是輻射會好,這個沒實際測過不好說,感覺用處不大

俺昨天又去做测试啦,测试结果是辐射问题解决了.但是发现一个问题就是在输出线的屏蔽接到大地的时候传导变得非常差(如不接地的话,传导很好).俺的这款12V4A的电源的输入EMI滤波器只用了一个X电容和一个共模电感,没有用到Y2电容.Y1电容(222/400v)跨在初级地和次级地之间.请问各位有没有什么好的整改主意没有?

请看测试曲线
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因为这个超标点在3,4倍频率,主要是差模超标.所以我认为加大共模电感(应为我试过加大X电容,影响相当有限,所以我想加大共模电感由10毫亨改为20毫亨,改UU10.5为UU16).各位有没有什么更好的建议吗?谢谢!

将输入滤波电容改为低阻抗的是不是会有较好的效果?

这个是共模的.你加大共模电感有效啊..
改变一下变压器的绕制,说不定就过了

在此电源能接受的漏电流范围内,你可以考虑加大Y电容,但需要选择好的接地点.到地点的线要足够短,地面积需要有一定的面积,需要是一个大面的,不能是一个点或一条线的那种地.最好是到机壳.再就是,你的那个究竟是幅射没有过,还是传导没有通过呢?电路有吗?

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谢谢各位!
首先是辐射没有过,改善后传导,辐射都通过了.后来客户要求输出线要接地测试,发现传导不过,辐射很好.

两条线都一样的传导超标.现在的Y电容是一个222/400V,接在初级地和次级地之间,不幸的是,初级地不是很大,而且通过一条大约有60毫米长的,1.5毫米宽的铜箔接到Y电容,如果将Y电容改到初级+BUS(初级+BUS铜箔面积较大且路径很短)和次级-的话,不知根据各位经验,是否会有大的改善?或者应该在保留原有Y电容的基础上加多一个Y电容在+BUS和次级-之间.

不会有改善,看看Y电容大小的关系和整流桥上并电容,还有你的输出共模电感

所以说EMC第一要知道系统应用

谢谢!我的方案如下:
1:加大Y电容到332(不套磁珠),因为上次测试是发现如果将Y定容上的磁珠拿掉,并由102改为222的话,测试结果再3,4倍频的地方改善有5DB左右.
    问题是这样改的话,对辐射测试有没有较大的影响啊?
2:将共模电感改为UU16,感量改为30毫亨MIN;前几天测试的时候发现将X电容加大没有影响,说明主要为共模噪声(其实输出接地传导测试变坏很多也说明这个问题啊).
3:变压器的设计已经采用3层屏蔽了,估计不能做修改了.

如果变压器只是考虑屏蔽的话,那是一个失败的产品,要考虑绕法.看怎样能减小dv/dt.

没有错,这些我有考虑,这是最基本的要求啊.

最终测试的效率为85%(输入90V时).
谢谢各位的支持.

我终于搞定啦,完全按照客户要求,传导,辐射测试余量都在8DB以上;具体方法为:
1:工作平率改为60K;(我考虑的是原52K的三倍频率刚好被传导测试仪抓住);
2:单极共模电感采用UU10.5;
3:改善驱动;
4:增加1PC Y电容.

有始有终,好