各位高手,请教个问题:
双向可控硅的工作频率范围大概是多少?为什么呢?
双向可控硅的工作频率?
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1)IGBT使用的优点是:工作频率高,达到20 KHZ.IGBT驱动信号是电压信号,是自关断器件,工作回路简洁,运行可靠,无电磁噪音.但缺点是单只管子的电流不能做的很大,一般只有1000A.大电流需多只管子并联使用.过电压能力弱,耐压不易做高,一般只有3300V.运行时,压降高,损耗大.
2)可控硅(SCR)的优点是:单只管子的电流能做的很大,高达10000A.大电流不需 多只管子并联使用.过电压能力强,耐压能做高,一般可达10000V.压降低,导通损耗小.缺点是工作频率低,(((工作频率只有20-600HZ.)))驱动信号是电流信号,不是自关断器件,需要外电路,电路复杂,可靠性低.
至于为什么低应该是材料构造和工艺的原因吧
2)可控硅(SCR)的优点是:单只管子的电流能做的很大,高达10000A.大电流不需 多只管子并联使用.过电压能力强,耐压能做高,一般可达10000V.压降低,导通损耗小.缺点是工作频率低,(((工作频率只有20-600HZ.)))驱动信号是电流信号,不是自关断器件,需要外电路,电路复杂,可靠性低.
至于为什么低应该是材料构造和工艺的原因吧
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@0143033133
当然也要看应用场合.三相全桥整流电路象590直流驱动器就是50HZ,每个周期导通一次.
..可控硅又叫晶闸管,种类很多,工作频率也各不相同,KP为普通可控硅,频率一般工作在100Hz以下.KK为快速可控硅,工作频率在4K以下;超过了4K,就要选用KA系列了,要不然正向损耗(Epf)和反向恢复损耗(Epr)随之升高,通态电流须降额使用.
..可控硅可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp,关断时间tq以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间tV决定.fmax=1/(tq+tp+tV).根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的余量.
..很少有关于晶闸管(可控硅)的贴子,感觉到大家对这个元件了解还不多,现在我发几个有关晶闸管参数的意义,供大家参考:
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
也许熟悉的工程师感到这是浪费版面,但初学者或者对晶闸管了解较少的工程师,可以参考一下,希望对朋友们有所帮助.
..可控硅可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp,关断时间tq以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间tV决定.fmax=1/(tq+tp+tV).根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的余量.
..很少有关于晶闸管(可控硅)的贴子,感觉到大家对这个元件了解还不多,现在我发几个有关晶闸管参数的意义,供大家参考:
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
也许熟悉的工程师感到这是浪费版面,但初学者或者对晶闸管了解较少的工程师,可以参考一下,希望对朋友们有所帮助.
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@悠然
..可控硅又叫晶闸管,种类很多,工作频率也各不相同,KP为普通可控硅,频率一般工作在100Hz以下.KK为快速可控硅,工作频率在4K以下;超过了4K,就要选用KA系列了,要不然正向损耗(Epf)和反向恢复损耗(Epr)随之升高,通态电流须降额使用...可控硅可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp,关断时间tq以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间tV决定.fmax=1/(tq+tp+tV).根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的余量...很少有关于晶闸管(可控硅)的贴子,感觉到大家对这个元件了解还不多,现在我发几个有关晶闸管参数的意义,供大家参考:IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流也许熟悉的工程师感到这是浪费版面,但初学者或者对晶闸管了解较少的工程师,可以参考一下,希望对朋友们有所帮助.
一个高达300KHZ频率的交流电,非正弦波,能否被双向可控硅控制其导通,截止呢?导通速度是最高每秒钟50次。
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