请高手指点 500W电源容易烤管

基于ML4800的500W双管正激开关电源,电源前端经过PFC升至400V,再经过双管正激,整机效率90%左右
  当开关管用SPW20N60C3时,此时电源满载运行一到两个小时,输入功率上升7到8瓦,直至烤管,或者当电源运行时,关机,容易烤管,
  当开关管用SPW47N60C3时,此时电源基本运行稳定,但有时候还是烤管,
  按理说,20N的管子应该足够啊,
  还有我的管子没有加嵌位电路,不过双管应该不用啊
  下图是驱动电路部分

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/2073261203647568.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
请高手指点一下,万分感激

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jurda

LV.6

2008-02-22 10:43

驱动部分过于复杂.实际效果可能并不理想.

长期工作效率降低,MOSFET升温,主要是开关损耗过大. 如果不考虑你计算问题. 关注驱动部分的话.建议如下:

1.如果想找到问题.可以直接使用简单的驱动电路.你这边应该是驱动变压器接入.使用简单的电阻直接连接G便可以.虽然没有三极管和二极管加速关断.但是还是应该可以驱动的好. 4148其实用在这里效果不明显.压降大,速度慢.如果真想加速,换成小的肖特基二极管.

2,简单的实验的话,直接把22欧姆驱动电阻减小一半.用10欧姆.看看有没有改善.一般来说,速度提高一倍.开关损耗明显减少.

jurda

LV.6

2008-02-22 10:45

R19 R20 可以去掉 R55 不知道用来做什么.

jsh423

LV.3

2008-02-26 08:55

@jurda

驱动部分过于复杂.实际效果可能并不理想.长期工作效率降低,MOSFET升温,主要是开关损耗过大.如果不考虑你计算问题.关注驱动部分的话.建议如下:1.如果想找到问题.可以直接使用简单的驱动电路.你这边应该是驱动变压器接入.使用简单的电阻直接连接G便可以.虽然没有三极管和二极管加速关断.但是还是应该可以驱动的好.4148其实用在这里效果不明显.压降大,速度慢.如果真想加速,换成小的肖特基二极管.2,简单的实验的话,直接把22欧姆驱动电阻减小一半.用10欧姆.看看有没有改善.一般来说,速度提高一倍.开关损耗明显减少.

非常感谢
1,我试了改成简单的驱动电路,但现象还是依旧存在,而却它的驱动波形明显没有上面那个驱动波形放心,应该不是驱动电路的问题
2,在对驱动电阻减小一半以后,开关损耗是降低了一到两瓦,但还是没有根本解决问题

而却在我这次调试中,当我将那个220m欧的取样电阻,换成专用的取样电阻以后,在我电源驱动以后,我的负载只能由轻到重的加,当由重负载变为轻负载时,MOSFET就会烤,从尔烧掉取样电阻,乃至芯片,而却这种现象发生的剧烈.
也就是说,当我用普通电阻作取样电阻的时候,好象能减弱这种烤管的趋势.

jsh423

LV.3

2008-02-26 08:57

@jurda

R19R20可以去掉R55不知道用来做什么.

对,R19 R20 是可以去掉,R55是电流取样电阻

jurda

LV.6

2008-02-26 09:10

@jsh423

非常感谢1,我试了改成简单的驱动电路,但现象还是依旧存在,而却它的驱动波形明显没有上面那个驱动波形放心,应该不是驱动电路的问题2,在对驱动电阻减小一半以后,开关损耗是降低了一到两瓦,但还是没有根本解决问题而却在我这次调试中,当我将那个220m欧的取样电阻,换成专用的取样电阻以后,在我电源驱动以后,我的负载只能由轻到重的加,当由重负载变为轻负载时,MOSFET就会烤,从尔烧掉取样电阻,乃至芯片,而却这种现象发生的剧烈.也就是说,当我用普通电阻作取样电阻的时候,好象能减弱这种烤管的趋势.

请比较下两种采样电阻使用情况下的采样信号波形.

你说的专用采样电阻和普通电阻,是否是无感绕线电阻和碳膜电阻的区别.

另外,只能由轻到重,不能由重到轻加载挺奇怪.

还是要看看你采样电流的信号是什么样子,才能发现一些问题.

jsh423

LV.3

2008-02-26 13:57

@jurda

请比较下两种采样电阻使用情况下的采样信号波形.你说的专用采样电阻和普通电阻,是否是无感绕线电阻和碳膜电阻的区别.另外,只能由轻到重,不能由重到轻加载挺奇怪.还是要看看你采样电流的信号是什么样子,才能发现一些问题.

对
就是金属膜电阻和绕线电阻的区别,
不过本质上就是当电源系统减小占空比的时候,出现了问题,出现了是瞬态高压,或者是控制环的问题,使MOSFET管烧掉,然后大电流流过取样电阻,因为普通电阻的感性特性,电流不会增加的很快,从尔普通电阻不会烧的很厉害,而由于取样电阻的无感特性,电流升的很厉害,所以爆的很厉害,
也就是说烧管还是问题的根源,而且是系统试图减小占空比的情况下烧的
我现在正在加吸收回路,看能不能解决问题
另外,我的电流取样端RC常数设的有点大,R为1K,C为102,不过取小了,系统稳态下都不是很稳定

jsh423

LV.3

2008-02-29 17:16

@jsh423

对就是金属膜电阻和绕线电阻的区别,不过本质上就是当电源系统减小占空比的时候,出现了问题,出现了是瞬态高压,或者是控制环的问题,使MOSFET管烧掉,然后大电流流过取样电阻,因为普通电阻的感性特性,电流不会增加的很快,从尔普通电阻不会烧的很厉害,而由于取样电阻的无感特性,电流升的很厉害,所以爆的很厉害,也就是说烧管还是问题的根源,而且是系统试图减小占空比的情况下烧的我现在正在加吸收回路,看能不能解决问题另外,我的电流取样端RC常数设的有点大,R为1K,C为102,不过取小了,系统稳态下都不是很稳定

问题终于解决了,功率部分采取了下图的电路

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/2073261204276439.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
多加了圈中所示部分,现在取样电阻爆炸的现象得到了解决

yzds409

LV.8

2008-02-29 17:55

D8\D9 做什么用的?去掉它们试试?

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