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关于电源滤波电感设计的问题(boost中)
关于电源滤波电感设计的问题(boost中)
1 铁芯手册中一般是给出在一定磁场强度Hm(单位是A/m)下的电感的
饱和磁通密度Bm,是不是就是说在Hm下,铁芯就饱和了?
2 如果1成立,那么在选择铁芯的时候是不是应该保证 H= N*I/L < Hm ?
其中N为匝数,I为最大电感电流,L为电感的等效长度
也就说是,只要保证H
3 看到Magnetics Inc. 的产品选型手册中,是以LI^2来选择铁芯,不知
道和上述有什么关系
多谢指教
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transformer1
LV.10
2
2008-03-31 13:00
對于您的第一,二點我贊同您的說法..
但要注意,如有 Air gap 就不一定.
對于您的第三點: 其實LI^2也是根據 安培環路定律 來看其 "H"值的..
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xinggl
LV.2
3
2008-03-31 13:15
@transformer1
對于您的第一,二點我贊同您的說法..但要注意,如有Airgap就不一定.對于您的第三點:其實LI^2也是根據安培環路定律來看其"H"值的..
能具体讲以下考察LI^2与考察H之间的关系吗?
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transformer1
LV.10
4
2008-03-31 13:33
@xinggl
能具体讲以下考察LI^2与考察H之间的关系吗?
好..
稍晚些才能給您喔..
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xinggl
LV.2
5
2008-03-31 13:47
@transformer1
好.. 稍晚些才能給您喔..
多谢多谢,赞
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transformer1
LV.10
6
2008-03-31 19:17
@xinggl
多谢多谢,赞
因本人水平有限,回答是:
LI^2 和 H 有一個共同因素,那就是 電流"I"
LI^2 表示的意義有點類似于"AP"的概念,"H" 可表示為: H= NI/L ..在把兩者拉到同一起點來看...
也就是說同一core, 如電流越大,則core的尺寸就會越大,則"H"值也就會越大..
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xinggl
LV.2
7
2008-04-01 10:04
@transformer1
因本人水平有限,回答是: LI^2和H有一個共同因素,那就是電流"I"LI^2表示的意義有點類似于"AP"的概念,"H"可表示為:H=NI/L..在把兩者拉到同一起點來看...也就是說同一core,如電流越大,則core的尺寸就會越大,則"H"值也就會越大..
多谢transformer1
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transformer1
LV.10
8
2008-04-01 16:42
@mimosa
L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ.(Bm是个建议的安全使用值)这样L*I^2便跟体积(Ae*Le)和μ扯上关系了,可以用它来选择最低要求的磁环了.我的水平也不怎样,不知对不对呢?
好...
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mimosa
LV.4
9
2008-04-01 16:56
@transformer1
因本人水平有限,回答是: LI^2和H有一個共同因素,那就是電流"I"LI^2表示的意義有點類似于"AP"的概念,"H"可表示為:H=NI/L..在把兩者拉到同一起點來看...也就是說同一core,如電流越大,則core的尺寸就會越大,則"H"值也就會越大..
L*I^2 =N*B*Ae*I =B*Ae*H*Le =Ae*Le*Bm^2/μ .(Bm是个建议的安全使用值)
这样L*I^2便跟体积(Ae*Le)和μ 扯上关系了,可以用它来选择最低要求的磁环了.
我的水平也不怎样,不知对不对呢?
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xinggl
LV.2
10
2008-04-02 09:52
@mimosa
L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ.(Bm是个建议的安全使用值)这样L*I^2便跟体积(Ae*Le)和μ扯上关系了,可以用它来选择最低要求的磁环了.我的水平也不怎样,不知对不对呢?
谢谢
有一点疑惑,你给的公式从L*I^2的角度选择了铁芯(也就是选定了:Ae,le,μ,以及Bm),但从N*I=H*le=le*Bm/μ的角度是否能保证铁芯不会饱和?
因为:
在这个公式(N*I=H*le=le*Bm/μ)里不涉及铁芯的截面积,而在L*I^2 =N*B*Ae*I =B*Ae*H*Le =Ae*Le*Bm^2/μ中涉及到了铁芯的截面积,直观来看可以通过增大Ae来提高L*I^2的能力,但是否有可能在满足了此公式的时候,铁芯已经饱和了?
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mimosa
LV.4
11
2008-04-02 10:48
@xinggl
谢谢有一点疑惑,你给的公式从L*I^2的角度选择了铁芯(也就是选定了:Ae,le,μ,以及Bm),但从N*I=H*le=le*Bm/μ的角度是否能保证铁芯不会饱和?因为: 在这个公式(N*I=H*le=le*Bm/μ)里不涉及铁芯的截面积,而在L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ中涉及到了铁芯的截面积,直观来看可以通过增大Ae来提高L*I^2的能力,但是否有可能在满足了此公式的时候,铁芯已经饱和了?
Bm是不饱和值,所以根据厂家的曲线来选,是不会饱和的.
因为如果你增大Ae,即选大一点的磁环,磁环的le也跟着增大啊.
N*I=H*le=le*Bm/μ 里,N*I不变下,le增大后,B不是反而更低吗?
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xinggl
LV.2
12
2008-04-02 10:50
@mimosa
Bm是不饱和值,所以根据厂家的曲线来选,是不会饱和的.因为如果你增大Ae,即选大一点的磁环,磁环的le也跟着增大啊.N*I=H*le=le*Bm/μ里,N*I不变下,le增大后,B不是反而更低吗?
具体的磁环的尺寸规格我不太了解
想当然地认为:
le不变的情况下,应该可以使Ae增大吧
因为:
外径0D
内径ID
高H
le=(OD+ID)/2
Ae=H*(OD-ID)/2
OD适当增大,ID适当减小
则可使le不变的情况下Ae增大
当然如果磁环的尺寸规格中也许不存在这种情况
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mimosa
LV.4
13
2008-04-02 11:22
@xinggl
具体的磁环的尺寸规格我不太了解想当然地认为:le不变的情况下,应该可以使Ae增大吧因为:外径0D内径ID高Hle=(OD+ID)/2Ae=H*(OD-ID)/2OD适当增大,ID适当减小则可使le不变的情况下Ae增大当然如果磁环的尺寸规格中也许不存在这种情况
你最后的一句是对的.
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xinggl
LV.2
14
2008-04-02 13:15
@mimosa
你最后的一句是对的.
多谢了
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selina1983
LV.4
15
2012-03-15 15:39
@xinggl
具体的磁环的尺寸规格我不太了解想当然地认为:le不变的情况下,应该可以使Ae增大吧因为:外径0D内径ID高Hle=(OD+ID)/2Ae=H*(OD-ID)/2OD适当增大,ID适当减小则可使le不变的情况下Ae增大当然如果磁环的尺寸规格中也许不存在这种情况
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