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MOS管导通压降的分析讨论

MOS管是栅电压控制漏源之间电流导通状况的器件,数字电路中MOS管在大信号工作,有导通和截止两种状态,因此可以作为电子开关.处于接通状态时,经过开关的输出电平将会比输入低一个NMOS管的阈值电压.
     门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态;当Vgs Vth 时,器件处于导通状态;器件的通态电阻与Vgs 有关,Vgs 大,通态电阻小;多数器件的Vgs 为12V-15V ,额定值为+-30V.

   我现在是用示波器测量DS间的波形得到这个电压,不同的管子不同的供电电压不同的控制电压结果不同.DS间导通压降一般在3V到10几伏之间,不知道我测量的对不对,你们都是怎么测量的,敬请各位朋友批评交流指正,谢谢!
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st.you
LV.9
2
2008-04-22 21:25
如果已知流过MOS电流,导通压降直接用欧姆定律算一下就知道了.
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ridgewang
LV.8
3
2008-04-22 22:48
“处于接通状态时,经过开关的输出电平将会比输入低一个NMOS管的阈值电压. ”
此话有些错误!
MOS管三条腿之间的关系可不是这样的.
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2008-04-23 09:07
@ridgewang
“处于接通状态时,经过开关的输出电平将会比输入低一个NMOS管的阈值电压.”此话有些错误!MOS管三条腿之间的关系可不是这样的.
DS间的电压是什么样的呢?与那些外界条件相关,是什么规律?
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2008-04-23 09:21
MOS管的导通压降一般跟MOS管的型号,栅极驱动电压以及通过MOS管的D、S电流决定的.
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2008-04-23 09:23
@心中有冰
MOS管的导通压降一般跟MOS管的型号,栅极驱动电压以及通过MOS管的D、S电流决定的.
你们都是如何测量的呢?
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2008-04-23 09:55
@smps-pioneer
你们都是如何测量的呢?
电压经过mos管的压降为导通电阻和流经mos管电流的乘积.


另外,栅极的驱动电压不光要大于mos管的开启电压vth,还要使mos管工作在饱和区,而不是在线性区,这样才能保证mos管的损耗小.
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2008-04-23 11:50
@小猪锣锣
电压经过mos管的压降为导通电阻和流经mos管电流的乘积.另外,栅极的驱动电压不光要大于mos管的开启电压vth,还要使mos管工作在饱和区,而不是在线性区,这样才能保证mos管的损耗小.
谢谢!按照我上面说的测量方法,输出功率不变,只改变DS间的供电电压,发现DS间的压降也升高,这说明导通电阻随DS间的供电电压的升高而变大,是这样的吗?
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