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IR2104的驱动死区是怎样产生的?

1.IR2104的驱动死区(造成MOSFET管发热)是怎样产生的?该如何解决?
2.当PWM波形占空比为100%时,IR2104驱动高端的自举电路会失效,该如何解决?1109223609.doc
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xkw1
LV.9
2
2005-02-24 14:40
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容
2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.
3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).
4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.
6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
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xqy1972
LV.1
3
2005-02-24 21:35
谢谢 xkw1
1.在R1/R2上分别并二极管后发热的问题解决了.
2.我的PWM必须要做到100%,请教 xkw1辅助电源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它简便低成本的方法.
3. 我的驱动电流要做到30A,为什么强烈建议我不使用IRF540,而采用IRF7809等.
我是初次做这种电路,问题肤浅请不要见笑
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xqy1972
LV.1
4
2005-02-24 21:58
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
谢谢 xkw1
1.在R1/R2上分别并二极管后发热的问题解决了.
2.我的PWM必须要做到100%,请教 xkw1辅助电源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它简便低成本的方法.
3. 我的驱动电流要做到30A,为什么强烈建议我不使用IRF540,而采用IRF7809等.
我是初次做这种电路,问题肤浅请不要见笑
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sunyongk
LV.3
5
2005-02-24 22:17
@xqy1972
谢谢xkw11.在R1/R2上分别并二极管后发热的问题解决了.2.我的PWM必须要做到100%,请教xkw1辅助电源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它简便低成本的方法.3.我的驱动电流要做到30A,为什么强烈建议我不使用IRF540,而采用IRF7809等.我是初次做这种电路,问题肤浅请不要见笑
1、在ir2104的vcc端接上10uf的电解电容,vcc于vb端的二极管应该是超快恢复二极管,不要用1n4148,
2、如果你的直流电机的工作电压是12v,那么你供给电机的电压应该是15v以上,那么pwm就没有必要做到100%
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xkw1
LV.9
6
2005-02-25 09:37
@xqy1972
谢谢xkw11.在R1/R2上分别并二极管后发热的问题解决了.2.我的PWM必须要做到100%,请教xkw1辅助电源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它简便低成本的方法.3.我的驱动电流要做到30A,为什么强烈建议我不使用IRF540,而采用IRF7809等.我是初次做这种电路,问题肤浅请不要见笑
因为你的工作电压只有12V,电池供电时最高16V.所以最好选30-40V的FET.同样的管芯大小下,RDSON随DS耐压快速下降,既化同样的钱能买更小损耗的FET.IRF540是100V的!
辅助电源比你想的要简单,555驱动能力约150mA,足够驱动一高频变压器.用NE555做振荡器.用变压器隔离为VB-VS供电.
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xqy1972
LV.1
7
2005-02-25 10:22
@xkw1
因为你的工作电压只有12V,电池供电时最高16V.所以最好选30-40V的FET.同样的管芯大小下,RDSON随DS耐压快速下降,既化同样的钱能买更小损耗的FET.IRF540是100V的!辅助电源比你想的要简单,555驱动能力约150mA,足够驱动一高频变压器.用NE555做振荡器.用变压器隔离为VB-VS供电.
谢谢 xkw1.我先试试看,有问题再向你请教.
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xqy1972
LV.1
8
2005-02-25 10:52
@sunyongk
1、在ir2104的vcc端接上10uf的电解电容,vcc于vb端的二极管应该是超快恢复二极管,不要用1n4148,2、如果你的直流电机的工作电压是12v,那么你供给电机的电压应该是15v以上,那么pwm就没有必要做到100%
由于受使用条件约束,电源电压最高为12V,所以PWM必须做到100%.另外能推荐一款常用的超快恢复二极管的型号吗?
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king2008
LV.5
9
2006-01-05 15:28
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
XKW1兄:
   請問你為甚麼要DS加電容,目的是甚麼?是不是BYPASS電容啊
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xkw1
LV.9
10
2006-01-05 15:57
@king2008
XKW1兄:  請問你為甚麼要DS加電容,目的是甚麼?是不是BYPASS電容啊
高频退耦!
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warmspring
LV.2
11
2006-02-13 11:45
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
T1的D到T2的S不并CBB63V104电容行不行,我电路的二极管用的是FR107,频率只能达到150HZ,在高电机就不动作
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xkw1
LV.9
12
2006-02-13 13:14
@warmspring
T1的D到T2的S不并CBB63V104电容行不行,我电路的二极管用的是FR107,频率只能达到150HZ,在高电机就不动作
可以!
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warmspring
LV.2
13
2006-02-13 15:09
@xkw1
可以!
并上104后,频率只有550hz时电机运行正常,高于550和低于550时运行有停顿,频率不可调是不是和二极管有关系,FR107的Trr是500ns是不是太大了
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xkw1
LV.9
14
2006-02-14 10:17
@warmspring
并上104后,频率只有550hz时电机运行正常,高于550和低于550时运行有停顿,频率不可调是不是和二极管有关系,FR107的Trr是500ns是不是太大了
看样子是PCB的问题,二极管不会这样影响.
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warmspring
LV.2
15
2006-02-14 11:06
@xkw1
看样子是PCB的问题,二极管不会这样影响.
我是用万用板打样的,104电容会不会影响频率.工作时电机不稳定,有时550HZ时也不正常,有时550时很好
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xkw1
LV.9
16
2006-02-14 13:17
@warmspring
我是用万用板打样的,104电容会不会影响频率.工作时电机不稳定,有时550HZ时也不正常,有时550时很好
干扰干的!
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warmspring
LV.2
17
2006-02-14 14:56
@xkw1
干扰干的!
我用手碰ir540的散热片,电机立刻停转,是不是和电源共地有关
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yangyuling
LV.1
18
2006-12-31 10:20
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
我是用IR2104驱动步进电机,在4个芯片的2脚输入低电平时,Q7,Q8发热比较严重,2管子漏源电压在8V左右,附上电路图,谢谢高手指点一下是否电路有什么问题.1167531606.doc
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2008-07-26 15:27
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
请问这位朋友有IR2104的中文资料吗.
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shpiaomiao
LV.1
20
2008-08-05 19:25
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
xkw1您好,我在测试时,发现以下状况:
1) 若不连接电机,IN为高电平,SD为PWM,测量出HO波形一直为高,LO一直为低.从原理上分析HO应该和SD波形一样,LO一直为低才对.
2) 连接电机后,HO、LO波形正常,但组成全桥的另一片IR2104的HO波形应该为低时却又为高了,不知道为什么 ?
3) 当PWM为50%以下时,根本带不动电机,从电机左右量波形发现电机电压一会为正电压,一会为负电压,且正负电压抵消导致电机无法运转.当PWM大于50%,时正电压时间大于负电压时间,电机运转.
4) 我是初次接触此类设计,问题肤浅,还请多多指教!
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lygo
LV.2
21
2009-11-07 21:38
@xkw1
1)C6/C7换成无极性的CBB或陶瓷电容2)R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分别并CBB63V104电容(不许该位置).4)建议PWM最高到95%,如果非到100%,可以用辅助电源解决.6)强烈建议换FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
请教:
R1/R2该成51欧,在R1/R2上分别并二极管,阳极朝FET的栅极,这两点是从那方面出发而改的,电路工作原理是什么?
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2013-07-06 16:50
@xqy1972
由于受使用条件约束,电源电压最高为12V,所以PWM必须做到100%.另外能推荐一款常用的超快恢复二极管的型号吗?
1N5822,反向恢复10ns
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szw8888
LV.2
23
2013-07-18 09:31
@士心道口
1N5822,反向恢复10ns
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2013-07-19 17:23
@szw8888
关注

1N4148 反相恢复4ns

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南强
LV.1
25
2013-08-17 21:02
@士心道口
1N4148反相恢复4ns
请教,图上从2104的HO和LO端串接电阻到MOSFET栅极的作用,为什么要串电阻,以及电阻大小的关系,图上给2104的PWM波为什么要用与非门啊?多谢了。
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你猜啊
LV.2
26
2017-07-20 09:43
@南强
请教,图上从2104的HO和LO端串接电阻到MOSFET栅极的作用,为什么要串电阻,以及电阻大小的关系,图上给2104的PWM波为什么要用与非门啊?多谢了。
那个电阻是为了防止振荡的
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