抛砖引玉,以下图为例.
请高手们说说,变压器次级串联的电容的作用.
高手们来讨论下MOS驱动问题吧
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@zkybuaa
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应该是加速MOS管导通
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@zkybuaa
我觉得,这个电容,起到隔直作用,去除了驱动脉冲的直流分量,降低了驱动能力.怎么会加速导通呢?应该是加速关断吧.
開關管使用電晶體時,使用這樣的驅動,可以在Q1關斷時,在B-E之間產生負偏壓,以便減少存儲時間,進而加速關斷.
開關管使用MOS時,由於剛入行,沒見過這樣的用法
但可以參考上面的解釋.MOS的關斷過程其實就是Cgs放電過程吧.所加的C在MOS關斷時,與Cgs串聯,可以減少其放電時間,進而加速關斷.
這顆電容,一般是用電阻來代替的.但這樣一來,同使用電容相比,Cgs放電時間會長點,關斷速度也會慢點.
個人愚見,若有不對之處,忘各位前輩指正.
開關管使用MOS時,由於剛入行,沒見過這樣的用法
但可以參考上面的解釋.MOS的關斷過程其實就是Cgs放電過程吧.所加的C在MOS關斷時,與Cgs串聯,可以減少其放電時間,進而加速關斷.
這顆電容,一般是用電阻來代替的.但這樣一來,同使用電容相比,Cgs放電時間會長點,關斷速度也會慢點.
個人愚見,若有不對之處,忘各位前輩指正.
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@zkybuaa
我觉得,这个电容,起到隔直作用,去除了驱动脉冲的直流分量,降低了驱动能力.怎么会加速导通呢?应该是加速关断吧.
開關管使用電晶體時,使用這樣的驅動,可以在Q1關斷時,在B-E之間產生負偏壓,以便減少存儲時間,進而加速關斷.
開關管使用MOS時,由於剛入行,沒見過這樣的用法
但可以參考上面的解釋.MOS的關斷過程其實就是Cgs放電過程吧.所加的C在MOS關斷時,與Cgs串聯,可以減少其放電時間,進而加速關斷.
這顆電容,一般是用電阻來代替的.但這樣一來,同使用電容相比,Cgs放電時間會長點,關斷速度也會慢點.
個人愚見,若有不對之處,忘各位前輩指正.
開關管使用MOS時,由於剛入行,沒見過這樣的用法
但可以參考上面的解釋.MOS的關斷過程其實就是Cgs放電過程吧.所加的C在MOS關斷時,與Cgs串聯,可以減少其放電時間,進而加速關斷.
這顆電容,一般是用電阻來代替的.但這樣一來,同使用電容相比,Cgs放電時間會長點,關斷速度也會慢點.
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