12伏1000瓦正弦波逆变器检测管压降保护电路求助

HLD`LLD是短路点现在短路2110的SD脚不保护哪个大神给说说原理管压降检测保护MOS的

此电路主要是检测H桥的两个下管的压降进行保护的，HLD和LLD的连接分别是左右桥的交点，也就是两个下管的D极。由于两个工作原理都一样，只拿其中一个说，正常工作时：IR2100的LO输出高电平，即LLG1的高电平一路经R75 使Q8 S8050导通，然后LLG输出高电平使下MOS管导通。此时如果负载在正常范围内，下MOS管的压降较低，D极接近0V低电平。即LLD在此时为低电平，同时LLG1的高电平另一路经R753  然后直接经R64 D8被拉低“抵消”了，而没有机会经D9去触发后面的保护电路，所以电路在正常工作。当下MOS管导通过程发生过载或短路时，此管势必产生很大的压降，此时D极就不是低电平了，就无法经R64 D8去拉低LLG1通过R73的高电平，那么此时高电平就能通过D9 D30 致使Q6导通 ，保护阀值与D8，D9，D30的压降有关。一路通过光耦去关闭IR2110的SD端，一路经D7去拉低Q8，LLG输出低电平。MOS管关闭，达到保护目的。当上管导通时，下管LLG1为低电平，保护电路不起作用。

那这个负压电路的作用是什么

功率MOS管与IR2110的COM不共地，COM电位相对MOS功率地是负压，即当IR2110的LO输出为低电平时，对MOS地是负压，负压关断有利下MOS管G极抗干扰，防止上管导通时，干扰下管误导通，导致上下管直通。

现在情况是H桥正常的情况下HLD,LLD的UF4007的正向电压是1.6伏短路后变成2.6伏电压。稳压管电压4.9伏不够5.1伏稳压管击穿电压

可适当增大R64的阻值 ，使满载时，R73与R64与D9的交点对GND电压等于D30击穿电压+D9的压降，大概是5.1+0.6=5.7V，不是在空载下进行。注意此处是脉冲电压，直接用电压表测量，数值不一定是准的

C64/C75比电路图给的容值大没太大关系吧

那是“消抖”电容，容量越大，保护反应越迟钝，容量过小，保护过于灵敏，启动不了冲击性的负载。

把R64改成30欧电压有所提高还是不行，输出端短路 D29发热严重，把5.1伏稳压管单角悬空，加5伏电到稳压管的正向可以正常保护，

正常情况下D29也严重发热。400伏高压地与辅助供电地有一个100欧电阻

继续加大R64，直接用100欧试验，看看能是否能正常带载，如果发现未到满载就保护了，说明100欧太大了，需要减少。否则再继续加大。D29是多少伏的稳压二极管？12V的？你说400伏高压地与辅助供电地有一个100欧电阻，那么就是相当R72上再并一个100欧的电阻。经计算大概的30MA电流，发热是正常的，可换成1W的稳压二极管

跟12伏稳压二极管同相的电容发热

我很好你呢？

解决问题没？

还没有呢，时间不是很充足只有晚上有时间您的联系方式有吗

把全图发出来啊 

怀疑负压电路出的问题红表笔量R10黑笔GND有3伏电压

怀疑负压电路出的问题红表笔量R10黑笔GND有3伏电压

按照图上的连接，有3V是正常的，功率地比是GND地高3V，此3V是由15V-D29的12V=3V，因为Q6，R10，连接着功率地，只要D30前面没有足够电压将其击穿，R26前端，Q6的B极，对GND会是3V，但对功率地是0V，想要使Q6导通，必须要足够的电压击穿D30。问题还是R73与R64的分压比例上。分别测量正常工作时，和短路时下MOS管的压降有多少V，就可以算出R64的值，比如正常工作时MOS压降是1V,那么LLD对GND电压就3V+1V=4V,R64取2.6K，此时是不会保护的，当LLD大于4.2V就会保护，具体数值需要经试验出来

现在即使4148的输出端有5伏电压稳压二极管直接不用，连接4.7K电阻也不会保护，反之用7805变出来的5伏加到4.7K就会保护

你说的4148的输出端有5V电压是对GND的吧？那当然不会动作啦，对GND电压要超过8.1V以上Q6才会导通，你看Q6的E极是接在功率地的，而不是GND上，这个负压电压扰乱了你的思维

正常情况3.3伏短路后5伏多，按常理跳过稳压二极管直接通过电阻到Q6的B极三极管就应该导通啊！D8的快恢复二极管负向正常的情况比如8伏短路后就7.5伏

加大R63和R64是没错的了，直接把这两个换成3K以上，或者断开他们，肯定会有反应的

断开可以保护，临界点半通不通影响输出电压

这个电路作为输出短路保护的话，可靠性如何？