0
回复
收藏
点赞
分享
发新帖
论坛首页
电源技术综合区
Qg与Ciss有什么不同?
Qg与Ciss有什么不同?
如题,Qg与Ciss有什么不同?载MOSFET参数中,有很多参数对载在线路中选用很重要,如Rdson决定了MOS的导通损耗,
Qg与Ciss有什么不一样呢,如何选用该参数。谢谢!
全部回复(3)
只看楼主
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢,说说你的想法
lingyan
2
2018-04-30 20:23
Qg电荷量,
Ciss是电容量
1
回复
提示
Cessin
LV.1
3
2018-05-01 13:52
Ciss是Qg-Vgs在Miller平台前面那段的斜率
1
回复
提示
xbclysh
LV.2
4
2018-05-12 17:03
Qg:栅极总充电电量.MOSFET 是电压型驱动器件,驱动的过程就是栅极电压的建立过程,这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的,ciss=Cds+Cgd
1
回复
提示
工程师都在看
【上海站】电源网高新电源技术线下研讨会
电源网-天边
【 DigiKey DIY原创大赛】基于树莓派的智能家居控制系统(一)
沈夜
【 DigiKey DIY原创大赛】锂电池组均衡充电电路设计
tanb006
【 DigiKey DIY原创大赛】基于STM32的直流生理电刺激治疗仪
大_树
【 DigiKey DIY原创大赛】在嵌入式终端上基于本地大模型实现的离线语音聊天机器人(1)
xiao__qiao
精华推荐
换一换
立
即
发
帖