120+120W 单级PFC 单压隔离电源板抗浪涌2KV 遇到难题忘大神进来支支招儿吖！

应用LZC811C的方案做了一个两路隔离的PFC单级共用输入和输出的电源：参数如下：

Input:185-250VAC

Output:30-35VDC 3.45+3.45A

PF:>0.96

EF>85%

以下是PCB应用图：

无论怎样：输入打浪涌L→N（差模）无论怎么样都过不了500V浪涌，现在先要过2KV

各位大神请进来支支招吖！救急救急救急！！！！！

全部回复(17)

只看楼主

正序查看

倒序查看

yuyuyu5

LV.8

2018-06-08 09:27

建议多层pcb

越凌科技

LV.6

2018-06-08 09:27

还有一张输入防护电路的清晰图：

越凌科技

LV.6

2018-06-08 09:42

@yuyuyu5

建议多层pcb

PCB 已经做了200片了，PCB是前一位工程LAY的！现在要想办法整过2KV（实在不行退主求其次，也要过得了1.5KV这样子）否则这200片也就废了！我也是醉了！！

峰谷浪子

LV.1

2018-06-08 15:05

@越凌科技

还有一张输入防护电路的清晰图：[图片]

单级PFC，由于桥堆后没有大容量的电解电容。相对来说抗浪涌的能力会差很多，总结以往经验，可以从以下几点入手：

1.在压敏前串联工字电感，进一步吸收浪涌能量，减轻压敏负担，到后级浪涌残压会更低；

2.MOSFET换成EAS（雪崩能量）更大的管子（一般平面MOS比COOLMOS大，电流大的管子比电流小的管子大），增加功率管的耐受性；

3.在桥堆后增加DRC组合搞浪涌回路，进一步抑制残余电压幅度。

xiaojb11

LV.4

2018-06-08 17:22

@越凌科技

还有一张输入防护电路的清晰图：[图片]

楼主，首先是打坏那些元器件？多数情况下是MOS打坏直接导致炸机，残压过高，由于无法改板选用耐压更高的mos，楼主可以用示波器抓一下雷击打进去瞬间mos的DS电压看看是多少。如果MOS没坏，只是前面的器件坏了那就好整了

越凌科技

LV.6

2018-06-08 20:15

@xiaojb11

你好！大神！每次打浪涌都是第二路的MOS IC CS干掉前面的一路正常！（当第二路打坏了以后，我接着打浪涌，就变成第一路单独打浪涌了，可以打到5KV）但是两路一起打 500V就挂了！我也是了很多方法！但是都没有什么用：例如：

越凌科技

LV.6

2018-06-08 20:38

@峰谷浪子

单级PFC，由于桥堆后没有大容量的电解电容。相对来说抗浪涌的能力会差很多，总结以往经验，可以从以下几点入手：1.在压敏前串联工字电感，进一步吸收浪涌能量，减轻压敏负担，到后级浪涌残压会更低；2.MOSFET换成EAS（雪崩能量）更大的管子（一般平面MOS比COOLMOS大，电流大的管子比电流小的管子大），增加功率管的耐受性；3.在桥堆后增加DRC组合搞浪涌回路，进一步抑制残余电压幅度。

大神：你好！这种两路并联使用的架构！我整了两三天了！但是连500V都打不过！要是单独一路去打浪涌的话：可以打5KV都过得了！很郁闷！每次打浪涌都是第二路的MOS IC CS 炸掉了（详情请看下帖）我也适当的做了防护，但是还是没有用！每次500V打不了多久第二路就死了！现在我想在第二路输入（BCUK母线）哪里做一个RDC的吸收，但是参数不知道如何选取！不知道，您能指点一下吗？感谢！我初步设计的结果是这样子的！给你看一下，您也给指正一下！