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高手们求救,为什么VDD电容会爆

有一定的比例出现如图描述现象,芯片采用微盟电子的ME8320  ,AC方案改成DC/DC  降压方式  ,电源芯片外围有坏的 有击穿的   但是后面470uF/25V  大电容却完好.

  

                                   

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flying123
LV.6
2
2018-09-06 13:56
帮顶
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2018-09-06 14:49
不能沉,顶起
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yao_s
LV.3
4
2018-09-06 23:31
帮顶。沙发
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2018-09-07 12:19
顶起
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2018-09-07 12:38
@linjingxiao
顶起
内压100v47u
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2018-09-07 12:58
VDD的电压超标了 
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EDSTRNDDF
LV.4
8
2018-09-07 13:42
我遇到过电容爆的情况基本两种:1、反压。2、过压。
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2018-09-07 13:47
40-90输入经过120K 再经过2R怎么保证VCC电压不超过50V?我们正常反激的电源启动电阻都要放到几兆。
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linjingxiao
LV.1
10
2018-09-07 14:44
@朝阳之星
VDD的电压超标了 
这种悬浮结构   电容两端实际电压才12V
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linjingxiao
LV.1
11
2018-09-07 14:45
@朝阳之星
40-90输入经过120K再经过2R怎么保证VCC电压不超过50V?我们正常反激的电源启动电阻都要放到几兆。
这种悬浮结构   电容两端实际电压才12V
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2018-09-07 15:18
@linjingxiao
这种悬浮结构  电容两端实际电压才12V

那么电容在什么情况下会爆炸?还有IC VDD在什么情况下会击穿? 如果这两种情况不是耐压的问题是 不可能产生的,你测试的12V是平均值,你可以用示波器抓一下瞬间 电压,开机冲击的电压。

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xiaojb11
LV.4
13
2018-09-07 15:43
续流二极管击穿了,IC浮地和实地连起来了,那么VDD这个电容的电压是很高的。
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jlh213
LV.6
14
2018-09-08 09:01

1、电容损坏一般有过压,反压,还有热,具体哪种,你自己可以测试下;

2、你所谓的VDD供电12V是有问题的,因为参考地是不同的,12V的参考地和芯片的参考地不是一个地,你能说芯片的供电电压是12V吗?

3、我不知道你的原理图参考谁的,我觉得原理图本身可能就是不对的。

2
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2018-09-08 22:15
100V的MOS和肖特基是不是用得太...了?感觉耐压不足.
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xiaojb11
LV.4
16
2018-09-10 08:48
@qinzutaim
100V的MOS和肖特基是不是用得太...了?感觉耐压不足.
用的太省了,mos导通直接就是90V加在续流管两端了,来个尖峰啥的就容易挂了,或是个别续流管耐压余量不足就容易挂了,续流管一挂VDD电容不挂才怪
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linjingxiao
LV.1
17
2018-09-10 12:26
@xiaojb11
用的太省了,mos导通直接就是90V加在续流管两端了,来个尖峰啥的就容易挂了,或是个别续流管耐压余量不足就容易挂了,续流管一挂VDD电容不挂才怪
嗯 分析的很有道理
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2018-09-12 15:31
BUCK 电感一定不能饱和。看你的工字电感体积,电感也应该处于饱和状态了,特别是启动阶段。
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2018-09-12 15:35
@我是游走巨爷
BUCK电感一定不能饱和。看你的工字电感体积,电感也应该处于饱和状态了,特别是启动阶段。
临界状态下,电感感量约600uh 最大电流约0.6A .50kHZ估算也应该用到EE10或者10*13以上的工字电感。
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linjingxiao
LV.1
20
2018-09-12 16:50
@我是游走巨爷
临界状态下,电感感量约600uh最大电流约0.6A.50kHZ估算也应该用到EE10或者10*13以上的工字电感。
多谢高手分析
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2018-09-13 09:57
@linjingxiao
多谢高手分析
这个耐压不够
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