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INN2005设计的电源

 INN2005PIInnoSwitch-CH 系列产品,一种离线CV/CC /回扫的交流至直流开关转换器,芯片集成了高电压 MOSFET,带同步整流反馈和诸多高级保护及安全功能。 这些设备显著简化了低电压、低电流、开关电源开发和制造,尤其是这些高效率要求。通过变压器偏置绕组供电时,230 V 交流输入时电源空载功耗小于10 mW

利用INN2005K设计的20W恒压/恒流充电器,支持5.1 V/4 A输出,85 VAC 264 VAC输入,电源可以达到90%的平均效率,±3% 恒定电压,同时具有电缆压降补偿功能。

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gxg1122
LV.10
2
2018-12-11 13:08
大功率输出,需要注意散热及线缆损耗。
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k6666
LV.9
3
2018-12-13 15:08
inn2005采用Flyback的拓扑结构,工作频率100kHz.
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2018-12-14 13:24
@gxg1122
大功率输出,需要注意散热及线缆损耗。
PI的芯片封装比较好,利于散热。
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2018-12-14 13:24
@k6666
inn2005采用Flyback的拓扑结构,工作频率100kHz.
对,工作频率高了,变压器及产品尺寸就比较小。
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wyhl
LV.8
6
2018-12-17 12:48
@奋斗的青春
PI的芯片封装比较好,利于散热。
涂抹导热硅脂进行散热,这种设备内部都有异型散热片的。
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wyhl
LV.8
7
2018-12-17 12:50
设计输出电压高点,5.1V经过线损有压降。
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dbg_ux
LV.9
8
2018-12-17 22:46
@wyhl
设计输出电压高点,5.1V经过线损有压降。
这个应该是充电器吧,5V的充电器一般都要电缆压降补偿的。INN2005也具备这个功能的。
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dbg_ux
LV.9
9
2018-12-17 22:48
@奋斗的青春
对,工作频率高了,变压器及产品尺寸就比较小。
开关电源的频率不是越高越好的,开关频率高,可缩小开关变压器的体积,但开关晶体管的损耗增加,效率降低
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dbg_ux
LV.9
10
2018-12-17 22:49
@wyhl
涂抹导热硅脂进行散热,这种设备内部都有异型散热片的。
5.1 V/4 A效率能够做到90%,除了同步整流外,还有其它什么方法可以提高低压大电流电源的效率。
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k6666
LV.9
11
2018-12-20 13:00
@dbg_ux
开关电源的频率不是越高越好的,开关频率高,可缩小开关变压器的体积,但开关晶体管的损耗增加,效率降低
开关损耗是在所难免的。这个看产品技术要求,折中选择。
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k6666
LV.9
12
2018-12-20 13:01
@dbg_ux
这个应该是充电器吧,5V的充电器一般都要电缆压降补偿的。INN2005也具备这个功能的。
输出电流大,线损不能忽视了 。
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2019-01-03 20:13
@wyhl
涂抹导热硅脂进行散热,这种设备内部都有异型散热片的。
小巧的手机快充适配器就有散热片,充电功率大,发热厉害,需要注意散热。
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2019-01-03 20:14
@dbg_ux
5.1V/4A效率能够做到90%,除了同步整流外,还有其它什么方法可以提高低压大电流电源的效率。
感觉其他的方式不太好做到这么高效率的。电流大损耗需要注意的。
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2019-01-03 20:15
@dbg_ux
开关电源的频率不是越高越好的,开关频率高,可缩小开关变压器的体积,但开关晶体管的损耗增加,效率降低
开关频率常见的工作频率就那几种,最高好像不超过400kHz。
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2019-01-03 20:16
@dbg_ux
这个应该是充电器吧,5V的充电器一般都要电缆压降补偿的。INN2005也具备这个功能的。
对的,INN2005大电流快充设计的时候需要注意损耗问题。
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2019-01-05 09:39
这一款应该是给OPPO做的低压大电流的充电器,能否上个原理图看一下,当输出电压降到4V以下时,BPS处是如何处理的?
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2019-01-05 22:03
@dbg_ux
5.1V/4A效率能够做到90%,除了同步整流外,还有其它什么方法可以提高低压大电流电源的效率。
可以用了ZVT软开关等技术,同时采用了较好的散热结构。主要是要看你功率多大。
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tabing_dt
LV.10
19
2019-01-06 13:13
@奋斗的青春
小巧的手机快充适配器就有散热片,充电功率大,发热厉害,需要注意散热。
InnoSwitch芯片损耗减小了,效率提高了,还有就是更好的散热有利于提高元器件的寿命和产品的可靠性
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tabing_dt
LV.10
20
2019-01-06 13:15
@眼睛里的海
可以用了ZVT软开关等技术,同时采用了较好的散热结构。主要是要看你功率多大。
请问开关电源中的软开关ZVT和ZVS技术有什么区别?还是说只是字面上的差别?
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k8882002
LV.9
21
2019-01-06 13:23
@tabing_dt
请问开关电源中的软开关ZVT和ZVS技术有什么区别?还是说只是字面上的差别?
ZVT一定是ZVS,但ZVS就不一定是ZVT,例如LLC,ZVT是定频的。(定频只是其一)
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k8882002
LV.9
22
2019-01-06 13:26
@tabing_dt
InnoSwitch芯片损耗减小了,效率提高了,还有就是更好的散热有利于提高元器件的寿命和产品的可靠性
InnoSwitch采用的封装可以提供高效散热的薄型方案,并且初级侧与次级侧具有更宽爬电距离和电气间隙
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wengnaibing
LV.9
23
2019-01-06 13:34
@k8882002
ZVT一定是ZVS,但ZVS就不一定是ZVT,例如LLC,ZVT是定频的。(定频只是其一)
ZVT技术是利用ZVS(零电压开关)实现零电压变换,ZVS导通的瞬间,其结电容上的电压为零,从而解决容性原件导通的尖峰电流问题.
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wengnaibing
LV.9
24
2019-01-06 13:41
@wengnaibing
ZVT技术是利用ZVS(零电压开关)实现零电压变换,ZVS导通的瞬间,其结电容上的电压为零,从而解决容性原件导通的尖峰电流问题.
而ZVS技术是利用ZCS(零电流开关)实现变换,ZCS截止之前,电流已经下降到零,这能解决感性原件关断时的尖峰电压的问题。
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kckcll
LV.9
25
2019-01-06 13:54
@奋斗的青春
开关频率常见的工作频率就那几种,最高好像不超过400kHz。
超过100KHZ频率的话对电源的开关管的要求要高很多,成本要高出蛮多,所以一般会控制在100KHZ以内
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kckcll
LV.9
26
2019-01-06 13:57
@奋斗的青春
对的,INN2005大电流快充设计的时候需要注意损耗问题。
快充会在一定程度上降低电池寿命,长期快充可能导致电解液分解,使电极上产生沉积物。所以快充的电流要适当。
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2019-01-06 19:51
@眼睛里的海
可以用了ZVT软开关等技术,同时采用了较好的散热结构。主要是要看你功率多大。
这个是ZVT的软开关技术对于效率提升有多大益处了?这个是怎么样的
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2019-01-06 19:52
@wengnaibing
而ZVS技术是利用ZCS(零电流开关)实现变换,ZCS截止之前,电流已经下降到零,这能解决感性原件关断时的尖峰电压的问题。
明白了,ZVT这个对于电路损耗有一定程度的降低。
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2019-01-06 19:54
@k8882002
InnoSwitch采用的封装可以提供高效散热的薄型方案,并且初级侧与次级侧具有更宽爬电距离和电气间隙
这个INNSWITCH系列芯片的设计对于电源散热有益处,PI的芯片独特设计。
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2019-01-06 19:55
@kckcll
超过100KHZ频率的话对电源的开关管的要求要高很多,成本要高出蛮多,所以一般会控制在100KHZ以内
频率高了,成本主要高在哪里?主控芯片这里不好选型吗?
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2019-01-06 19:56
@kckcll
快充会在一定程度上降低电池寿命,长期快充可能导致电解液分解,使电极上产生沉积物。所以快充的电流要适当。
是有一定的寿命减小,但现在产品吃电速度快,电池容量大,需要缩短充电时间。
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