第三代半导体材料SIC碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。
SiC功率器件具有高耐压、低损耗、高效率等特性，高频高温，是同等硅器件耐压的10倍，能够降低系统尺寸和运行成本。使用SiC器件可令系统成本下降，性能显著提高，并且由于减少了外围被动器件的使用，系统尺寸可大幅缩减。
基于硅基四英寸生产线设备能力，通过设计仿真、单项工艺和工艺整合技术攻关，深圳市深鸿盛电子有限公司创新性地开发了低温离子注入工艺，解决了高耐压、低漏电、边缘放电等关键问题，掌握了SiC肖特基二极管制备关键技术，具备了SiC肖特基产品研制、生产能力，在产品性能、可靠性等方面具有国内领先水平。
SiC肖特基二极管主要应用于混合动力、光伏逆变器、矿机电源、电焊机和充电桩。
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