1、V(BR)DSS:漏-源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。
Test Condition：Vgs=0，ID=250uA
2、IDSS：:漏-源（D-S）漏电流。一般在微安级。
Test Condition：Vgs=0，VDS=RatedVDS
3、IGSS:栅源驱动电流或反向电流。一般在纳安级。
Test Condition：Vds=0，VGS=RatedVGS
4、VGS（th）：开启电压（阈值电压），它具有负温度特性。
Test Condition：Vgs=Vds，ID=250uA
5、RDS(on)：在特定的Vgs（一般为2.5V或4.5V或10V）及漏极电流（我们一般取1/2RatedID）的条件下，MOSFET导通时漏源间的阻抗，具有正温度特性。
功率MOSFET 在电感型负载回路中，MOSFET由开启状态到瞬间关断时，漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中存储能量的同时，也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。
