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如何增加NMOS管驱动电路的驱动能力？

请教各位大佬，最近做了一款电池的BMS在输出端使用高端NMOS作为控制开关，因为工作在稳态而不是开关态，所以想使用隔离电源来驱动该MOS，这里选用了2个IRFP4368的管子，由于该管子的Qg是比较大的，可是为了节省成本准备使用一个12V1W的隔离电源来驱动，我能否通过增加该电源的输出电容来提高该隔离电源驱动NMOS的能力呢？

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FQCAD
LV.5
2
2020-04-22 17:13
工作在稳态而不是开关态，更不需要考虑驱动能力问题，只有要求开通时间很快，才需要考虑驱动能力。对于一直导通的场管，只需要保证电压够大即可，无需考虑电流，因此12V1W的电源也能满足需求
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q897039433
LV.4
3
2020-04-22 17:24
@FQCAD
工作在稳态而不是开关态，更不需要考虑驱动能力问题，只有要求开通时间很快，才需要考虑驱动能力。对于一直导通的场管，只需要保证电压够大即可，无需考虑电流，因此12V1W的电源也能满足需求
我也是做这个项目的时候想到的，如果工作在开关态比如说1kHz，还用这种小功率的隔离电源是否还能满足要求？单纯的增加输出电容能否满足快速导通的需求？
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FQCAD
LV.5
4
2020-04-23 13:07
@q897039433
我也是做这个项目的时候想到的，如果工作在开关态比如说1kHz，还用这种小功率的隔离电源是否还能满足要求？单纯的增加输出电容能否满足快速导通的需求？
开关状态，电容足够大即可，利用电容的储能，完全可以提供给开通所需的瞬态电流
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q897039433
LV.4
5
2020-04-27 17:33
@FQCAD
开关状态，电容足够大即可，利用电容的储能，完全可以提供给开通所需的瞬态电流
好的，谢谢，帮我大忙了，谢谢。
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dy-g3Gxyp52
LV.1
6
2020-04-28 18:20
频率低于50K问题应该不大，频率高了 就要考虑驱动瞬时电流输出能力了
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dy-g3Gxyp52
LV.1
7
2020-04-28 18:22
12V 1W估计管子开通时间有点长，因为瞬态电流出不来，
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dy-g3Gxyp52
LV.1
8
2020-04-28 18:43
Qg并不是最终影响管子开通时间的，而是米勒电平持续的时间
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q897039433
LV.4
9
2020-05-06 15:38
@dy-g3Gxyp52
12V1W估计管子开通时间有点长，因为瞬态电流出不来，
频率不会这么高的，顶多1K，客户这方面要求还没有确定下来，所以我想将电源输出电容加大，以提高瞬时的拉电流能力。
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