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谁对BMS保护延时了解的?

过充电压保护延时、过充保护释放延时、过放电压保护延时、放电过流保护延时----------

1.这种延时是用示波器去测试吗?有没有更好的方法?理想状态是在达到保护或者释放保护要越快越好,而实际上是做不到的?这个做不到没有延时是哪些因素造成的?哪个是最关键的因素?

2.为什么没有强调过放保护释放延时、过流保护释放延时、短路保护延时、短路保护释放延时、过温保护延时、过温保护释放延时?BMS电池保护中是否存在这四个延时参数?

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yuyuyu5
LV.8
2
2020-08-13 10:44
延时会传输电流卡顿的
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2020-08-13 13:47
首先肯定不是越快越好,快就会有误动作,一个尖峰干扰就算过冲了,干扰厉害了充电断断续续,这不就是乱搞了么。要知道 芯片手册不敢写的参数一般就是比较差的参数,就比如这个过流保护延迟能达到200ms  如果他没有短路保护 靠过流保护来实现短路保护,也就是说当短路200ms以上才会断开mos,虽然你选择的mos电流够了 耗散够了,但是短路的冲击太大,直接就废了、
1
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12708046
LV.2
4
2020-08-13 18:32

进来向大家学习

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2020-08-14 10:14
@dy-ZgpxD3gc
首先肯定不是越快越好,快就会有误动作,一个尖峰干扰就算过冲了,干扰厉害了充电断断续续,这不就是乱搞了么。要知道芯片手册不敢写的参数一般就是比较差的参数,就比如这个过流保护延迟能达到200ms 如果他没有短路保护靠过流保护来实现短路保护,也就是说当短路200ms以上才会断开mos,虽然你选择的mos电流够了耗散够了,但是短路的冲击太大,直接就废了、
像短路保护  过流保护  过充保护不是越快越好吗
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