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力生美推出高性能内置65V低内阻MOS的同步整理系列支持多模式DCM/CRM/CCM

支持DCM/CRM/CCM多模式,耐压65V,多款内阻可选,充分发挥整体性价比。

尤其适合PD20W系列应用,欢迎咨询送样

WX: icbanks

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2020-09-28 20:58
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2020-09-28 21:56
@利芯科技~icbanks
[图片][图片]

LN5S2X 内置了一个内阻低至 8mΩ的 65V 耐压 MOSFET,其漏极从 5/6/7/8 脚引出到芯片外部,源极从 1/2 脚引出到芯片外部,5/6/7/81/2脚是芯片主要的散热导出通道,应用中应保持良好的 5/6/7/81/2 脚与外部铜箔的连接,并使用足够面积的铜箔必要时还应镀锡处理,从而增强散热能力,保持芯片温度在合理的范围。任意时刻还应确保 D 端到地的电压不超过额定耐压值,以免芯片过压损坏;S端内部则已与GND端相连,应保持GND/S端与输出电容或变压器环路最小为佳。

应用中应保持合理的 PCB 布线方式,确保芯片相关连接引脚具有尽可能短的路径,尤其芯片 D 端应与变压器端子或电容之间保持最短连接,S 端应与输出电容负端子或变压器端子之间保持最短连接。如下图所示。

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hao1855
LV.3
4
2020-09-29 08:15
@利芯科技~icbanks
LN5S2X内置了一个内阻低至8mΩ的65V耐压MOSFET,其漏极从5/6/7/8脚引出到芯片外部,源极从1/2脚引出到芯片外部,5/6/7/8和1/2脚是芯片主要的散热导出通道,应用中应保持良好的5/6/7/8和1/2脚与外部铜箔的连接,并使用足够面积的铜箔必要时还应镀锡处理,从而增强散热能力,保持芯片温度在合理的范围。任意时刻还应确保D端到地的电压不超过额定耐压值,以免芯片过压损坏;S端内部则已与GND端相连,应保持GND/S端与输出电容或变压器环路最小为佳。应用中应保持合理的PCB布线方式,确保芯片相关连接引脚具有尽可能短的路径,尤其芯片D端应与变压器端子或电容之间保持最短连接,S端应与输出电容负端子或变压器端子之间保持最短连接。如下图所示。[图片][图片][图片]
楼主你的,有没有一款规格书和DM资料的介绍哈,若是方便的话,请上传一下,谢谢了
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2020-10-11 10:07
@hao1855
楼主你的,有没有一款规格书和DM资料的介绍哈,若是方便的话,请上传一下,谢谢了
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