为什么频率提高功率会减小呢?
我做了几个逆变器频率47KHZ输出功率300W场管发热,后来改为二十K功率提高到了400W场管反而不热了,请问高手是什么原因~!!
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同意楼上我的EE65磁芯只能上13KH用8个3205只能点3个200W灯泡点4个就会炸管请问问题在那里用这个图保护为什么不好用500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/559951218119086.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@781212
同意楼上我的EE65磁芯只能上13KH用8个3205只能点3个200W灯泡点4个就会炸管请问问题在那里用这个图保护为什么不好用[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/559951218119086.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
我也是用你同样的电路,只是去了保护电路
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哎,上面说的一沓糊涂!!!高手都那里去了,哎,那只有小弟来献丑了!!
大哥,你这个问题,关系到很多东西的.主要又几个方面.
首先,你的MOSFET不是理想器件,开开通和关断之间是又一段线性区的.
每开关一此都要经过一次这个区域.这个区域的电阻是在最小和关断间变化,这个就是开关损耗,也是主要的损耗之一!!
当你频率上去了,自然在相同的时间里,开关次数多了,自然就损耗大了.不但是器件问题,而且驱动电路是否合理也是很重要的.例如,要加快开通和关断的速度.就是在电阻上并上电容和二极管.
还又,频率高了,驱动电流也大了,别以为MOSFET就单单是电压驱动,别忘记了它的结电容啊!!!
其次,频率高了,电流的集肤效应很明显,你的变压器绕组和各种连接线都会产生明显的集肤效应.从而限制了你的导线的载流量.
再次,变压器也是一个很大的问题.磁芯不同,其频率特性也不同.所以买变压器一定要知道其截止频率是多少等参数.
希望对你又用,呵呵
大哥,你这个问题,关系到很多东西的.主要又几个方面.
首先,你的MOSFET不是理想器件,开开通和关断之间是又一段线性区的.
每开关一此都要经过一次这个区域.这个区域的电阻是在最小和关断间变化,这个就是开关损耗,也是主要的损耗之一!!
当你频率上去了,自然在相同的时间里,开关次数多了,自然就损耗大了.不但是器件问题,而且驱动电路是否合理也是很重要的.例如,要加快开通和关断的速度.就是在电阻上并上电容和二极管.
还又,频率高了,驱动电流也大了,别以为MOSFET就单单是电压驱动,别忘记了它的结电容啊!!!
其次,频率高了,电流的集肤效应很明显,你的变压器绕组和各种连接线都会产生明显的集肤效应.从而限制了你的导线的载流量.
再次,变压器也是一个很大的问题.磁芯不同,其频率特性也不同.所以买变压器一定要知道其截止频率是多少等参数.
希望对你又用,呵呵
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@我爱思思
哎,上面说的一沓糊涂!!!高手都那里去了,哎,那只有小弟来献丑了!!大哥,你这个问题,关系到很多东西的.主要又几个方面.首先,你的MOSFET不是理想器件,开开通和关断之间是又一段线性区的.每开关一此都要经过一次这个区域.这个区域的电阻是在最小和关断间变化,这个就是开关损耗,也是主要的损耗之一!!当你频率上去了,自然在相同的时间里,开关次数多了,自然就损耗大了.不但是器件问题,而且驱动电路是否合理也是很重要的.例如,要加快开通和关断的速度.就是在电阻上并上电容和二极管.还又,频率高了,驱动电流也大了,别以为MOSFET就单单是电压驱动,别忘记了它的结电容啊!!!其次,频率高了,电流的集肤效应很明显,你的变压器绕组和各种连接线都会产生明显的集肤效应.从而限制了你的导线的载流量.再次,变压器也是一个很大的问题.磁芯不同,其频率特性也不同.所以买变压器一定要知道其截止频率是多少等参数.希望对你又用,呵呵
谢了~!我再去调试下看看`!
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