深圳市奕锋泰科技有限公司是无锡新洁能/NCE原厂代理。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT。
型号:
型号:NCEP3045GU
封装:DFN5*6
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 45A
栅源极阈值电压 : 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.8mΩ @ 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 35W
类型:N沟道
型号:NCEP3090GU
封装:DFN5*6
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 90A
栅源极阈值电压 : 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 2mΩ @ 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 70W
类型:N沟道
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