快充电源中MOS管的应用方案
消费电子市场的火爆场面拉动了快充的内需，而快充的兴起也带动了MOSFET的需求增长。
用于整流同步的MOS管，可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。快充中的MOS管显得尤为重要，而低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的MOS管要求更为严苛，MOS管用量也呈上升趋势。
惠海半导体自成立以来，致力于MOSFETs（场效应管），开发设计、封装测试、销售服务、技术支持为一体的高新技术企业。
企业致力服务于中高端市场的终端制造商，整体生产体系严格执行质量标准，积极批量开发，还可提供定制服务，调整MOSFET参数，为客户量身定制，惠海半导体是专业、全面的为客户解决方案的MOSFETs场效应管原厂。
惠海半导体针对电子设备的续航问题开发定制快充电源中MOS管应用。采用三段式充电和四开关管升降压电路，并且选用了惠海半导体的场效应管，实现了兼容性强的大功率快充功能，充放电效率大于等于93%，具有外围器件需求小，电转换效率率高，延长锂电池寿命等优点。
★MOS管主要参数★
MOS管型号：HG5511D
参数：60V 40A
封装：DFN3333
内阻：11mR(Vgs=10V) 14mR(Vgs=4.5V)
结电容：550pF
开启电压：1.8V
应用领域：车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源、舞台灯照明、加湿器、美容仪等电压开关应用。
【高频率 大电流 SGT工艺 开关损耗小】
