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用INN3279设计的48W适配器

  InnoSwitch3-CP内部集成750V氮化镓开关管的反激式开关芯片，能够实现更高效率，更低温度，更小尺寸的电源设计，能够满足大功率手机充电器等其它电源的设计要求。

     INN3279C就是内部集成一个750V的氮化镓开关管，最大设计功率可达85W，设计满载最高效率可达94%，电源设计为输出12V电压4A电流的适配器，该电源采用FluxLink反馈技术，HIPOT隔离，具备输入过电压和欠电压保护，输出过压和过流限制，及过热关断功能，对于变压器设计，最好将反射电压（VOR）保持在较低水平，以降低次级侧的RMS电流。

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大海的儿子
LV.10
2
2021-06-03 16:56

InnoSwitch3-CP的氮化镓开关替换了高压硅晶体管，降低电流流动期间的传导损耗。

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trllgh
LV.9
3
2021-06-03 17:03

 IC内部的保护电路可以实现初级侧输出过压保护，该电路由流入初级旁路引脚的阈值电流触发。

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dbg_ux
LV.9
4
2021-06-03 17:19
@大海的儿子
InnoSwitch3-CP的氮化镓开关替换了高压硅晶体管，降低电流流动期间的传导损耗。

也极大降低工作时的开关损耗，最终有助于大幅降低电源的能耗。

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kckcll
LV.9
5
2021-06-03 17:25
@trllgh
 IC内部的保护电路可以实现初级侧输出过压保护，该电路由流入初级旁路引脚的阈值电流触发。

初级旁路引脚电容除起到内部滤波的作用，还作为外部滤波器，提高噪声抗扰性。

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lx25hb
LV.8
6
2021-06-03 17:26

较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低，可以有效降低开关损耗。

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cb_mmb
LV.8
7
2021-06-03 17:35
@dbg_ux
也极大降低工作时的开关损耗，最终有助于大幅降低电源的能耗。

损耗小了，效率就提高了，电源的体积也可以做的比较小。

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uf_1269
LV.8
8
2021-06-03 17:37
@lx25hb
较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低，可以有效降低开关损耗。

而电路中有较高的VOR会增加漏感，从而降低电源效率。

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xxbw6868
LV.9
9
2021-06-04 12:52
@cb_mmb
损耗小了，效率就提高了，电源的体积也可以做的比较小。

INN3279采用体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。

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spowergg
LV.10
10
2021-06-04 12:53
@uf_1269
而电路中有较高的VOR会增加漏感，从而降低电源效率。

如果RCD方式的吸收电路中C上的电压始终高于Vor，只吸收漏感能量，功耗不比用TVS大

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beakline
LV.6
11
2021-06-04 13:08
@kckcll
初级旁路引脚电容除起到内部滤波的作用，还作为外部滤波器，提高噪声抗扰性。

为使旁路电容达到有效的高频滤波，应将电容尽量放置在距器件源极和初级旁路引脚最近的地方。

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dianre888
LV.6
12
2021-06-04 13:36
@spowergg
如果RCD方式的吸收电路中C上的电压始终高于Vor，只吸收漏感能量，功耗不比用TVS大

电源设计除了VOR考虑之外，降低变压器的漏感也是很重要的。

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trllgh
LV.9
13
2021-06-05 11:38
@beakline
为使旁路电容达到有效的高频滤波，应将电容尽量放置在距器件源极和初级旁路引脚最近的地方。

所需过压保护稳压管串联一个低值电阻，可以限制流入次级旁路引脚的最大电流。

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uf_1269
LV.8
14
2021-06-05 12:45
@xxbw6868
INN3279采用体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。

通过变压器设计以及选择合适的有源器件和偏置电压来优化效率。

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原来会员名可以很长的
LV.9
15
2021-06-19 10:10
@spowergg
如果RCD方式的吸收电路中C上的电压始终高于Vor，只吸收漏感能量，功耗不比用TVS大

快充技术的优点是很好地解决常规手机充电电流大发热的问题。

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原来会员名可以很长的
LV.9
16
2021-07-22 18:49
@cb_mmb
损耗小了，效率就提高了，电源的体积也可以做的比较小。

内置的同步整流驱动，同步整流对于对于这种大电流电路效率可大大提升。

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原来会员名可以很长的
LV.9
17
2021-08-14 10:51
@dbg_ux
也极大降低工作时的开关损耗，最终有助于大幅降低电源的能耗。

效率非常的高降低发热损耗减小了，将充电器的转换效率提升到92%以上。

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尘埃中的一粒沙
LV.5
18
2021-08-16 18:37
@trllgh
所需过压保护稳压管串联一个低值电阻，可以限制流入次级旁路引脚的最大电流。

电源的稳压管串联R，就需要选择合适功率的电阻，结合考虑功耗问题。

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tmpeger
LV.10
19
2023-05-15 21:07
@xxbw6868
INN3279采用体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。

由输出电感和输出电容所组成的滤波器，在滤波器谐振频率点处的环路响应上具有两个极点

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tmpeger
LV.10
20
2023-07-14 22:14
@lx25hb
较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低，可以有效降低开关损耗。

共模电感实质上是一个双向滤波器：要滤除信号线上共模电磁干扰

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tmpeger
LV.10
21
2023-08-12 22:39
@trllgh
所需过压保护稳压管串联一个低值电阻，可以限制流入次级旁路引脚的最大电流。

滤波电容用小的，如果太小，纹波肯定大，要想纹波小，除了加大电容容量，还应该选低阻抗的电容

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spowergg
LV.10
22
2023-09-17 15:33
@tmpeger
由输出电感和输出电容所组成的滤波器，在滤波器谐振频率点处的环路响应上具有两个极点

开关频率高的容易获得较低的纹波，但价格及对外围元件的要求相对更高，所以要根据需要合理选择。

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tmpeger
LV.10
23
2023-09-23 21:41
@spowergg
如果RCD方式的吸收电路中C上的电压始终高于Vor，只吸收漏感能量，功耗不比用TVS大

无箝位设计完全依赖漏极节点电容来控制漏极电感引起的峰值漏极-源极电压

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黑夜公爵
LV.10
24
2023-12-10 10:20

由于高阻抗部分会引起噪声干扰，所以RES端的电阻值不能设计得太大

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黑夜公爵
LV.10
25
02-15 22:36

为了维持恒流输出，内部振荡器的频率在此阶段逐渐降低，直到达到起始频率的38%

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大海的儿子
LV.10
26
03-19 13:13

变压器屏蔽绕组可降低共模噪声，频率调制则可降低EMI扫描频谱中的峰值数值，从而可以降低EMI滤波元件的成本。

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大海的儿子
LV.10
27
04-10 13:14

InnoSwitch3-pro所采用的先进的状态控制器可以防止电源工作于7至12kHz的开关频率下，而这一频段是大多数变压器产生噪音最大的工作频段。

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飞翔2004
LV.10
28
04-11 17:30
@大海的儿子
变压器屏蔽绕组可降低共模噪声，频率调制则可降低EMI扫描频谱中的峰值数值，从而可以降低EMI滤波元件的成本。

在轻载下一般都是采用降低工作频率的方法来提高轻载效率，但在某一负载下，开关频率会降至20kHz以下并进入音频噪声范围。

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trllgh
LV.9
29
04-13 17:04
@飞翔2004
在轻载下一般都是采用降低工作频率的方法来提高轻载效率，但在某一负载下，开关频率会降至20kHz以下并进入音频噪声范围。

尤其当开关频率接近变压器本身的共振频率点时会产生比较大的音频噪音。

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spowergg
LV.10
30
05-08 11:46
@大海的儿子
InnoSwitch3-pro所采用的先进的状态控制器可以防止电源工作于7至12kHz的开关频率下，而这一频段是大多数变压器产生噪音最大的工作频段。

为进一步降低音频噪音，在变压器的设计时，当工作频率<20kHz时，会确保磁通密度BAC<120mT。

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tmpeger
LV.10
31
07-08 22:55

提供线电压补偿的待机MOSFET电流限流， 以实现待机过功率补偿OPC

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