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INN3977设计的800V汽车应急电源外加MOS

汽车应急电源的设计要求电压比较高，InnoSwitch3-AQ产品系列将初级和次级控制器以及符合安全标准的反馈电路集成到了单个IC中，在30V至1200V的超宽输入电压范围内只需要极少的元件和简单的配置就能提供精确而稳定的输出电压。新款器件采用了多模式准谐振(QR)/CCM/DCM反激控制器、900V开关和Power Integrations的高速FluxLink通信链路，可在薄型InSOP24封装中实现高精度调整。

InnoSwitch3-AQ在800V母线应用中的工作方式，设计均采用PI的StackFET技术，可以省略附加电路。但需要外加MOS，这个MOS的选择需要注意哪些了？

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svs101
LV.8
2
2021-07-07 18:29

INN3977设计的应急电源支持30v~925VDC的输入，范围很宽。

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svs101
LV.8
3
2021-07-07 18:30

这个MOS你可以选择PI的推荐MOS就行，性能也好。

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svs101
LV.8
4
2021-07-07 18:32
@svs101
[图片]这个MOS你可以选择PI的推荐MOS就行，性能也好。

不过这个MOS选择的时候注意耐压，一般要求500V以上的。

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紫蝶
LV.9
5
2021-07-10 13:52
@svs101
[图片]这个MOS你可以选择PI的推荐MOS就行，性能也好。

这个MOS 是PI的案例推荐的，就是想选择其他的不知道怎么样？有啥要求？

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紫蝶
LV.9
6
2021-07-10 13:53
@svs101
不过这个MOS选择的时候注意耐压，一般要求500V以上的。

耐高压这个是需要的，毕竟用于800V的汽车应急电源设计

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k6666
LV.9
7
2021-07-10 16:08
@紫蝶
这个MOS是PI的案例推荐的，就是想选择其他的不知道怎么样？有啥要求？

无散热器平台式解决方案，保证回流焊之后把热量导通到PCB板上，利于散热，无需散热片。

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k6666
LV.9
8
2021-07-10 16:09
@紫蝶
这个MOS是PI的案例推荐的，就是想选择其他的不知道怎么样？有啥要求？

现在很多采用PSR控制器 + 800V MOSFET + 叠加FET (Stack FET)，方案的缺点：输出稳压精度差。

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k6666
LV.9
9
2021-07-10 16:10
@紫蝶
耐高压这个是需要的，毕竟用于800V的汽车应急电源设计

IN3997设计的电源，支持外加的StackFET，满足 800V及以上母线电压，FluxLink 反馈链路 ，无需光耦。

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fengxbj
LV.8
10
2021-07-10 16:47
@紫蝶
耐高压这个是需要的，毕竟用于800V的汽车应急电源设计

汽车级认证的反激控制器，加上集成的MOSFET 及 StackFET的架构，实现高效的应急电源设计。

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fengxbj
LV.8
11
2021-07-10 16:48
@k6666
现在很多采用PSR控制器+800VMOSFET+叠加FET(StackFET)，方案的缺点：输出稳压精度差。

快速动态响应特性可以避免使用过大的输出滤波电容，缩小产品体积。

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尘埃中的一粒沙
LV.5
12
2021-07-10 17:04
@k6666
无散热器平台式解决方案，保证回流焊之后把热量导通到PCB板上，利于散热，无需散热片。

芯片的同步整流功能用MOSFET替代二极管整流极大地降低了损耗

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尘埃中的一粒沙
LV.5
13
2021-07-10 17:05
@fengxbj
汽车级认证的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架构，实现高效的应急电源设计。

INN3977内部集成了多种保护 功能，磁通信隔离技术，简化了电源的开发设计。

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尘埃中的一粒沙
LV.5
14
2021-07-10 17:09
@svs101
不过这个MOS选择的时候注意耐压，一般要求500V以上的。

MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。

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亲爱的郭郭
LV.9
15
2021-07-11 16:47
@k6666
无散热器平台式解决方案，保证回流焊之后把热量导通到PCB板上，利于散热，无需散热片。

这种方案所需的元件数少无散热片都是通过PCB面积来散热的。

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眼睛里的海
LV.9
16
2021-11-18 17:22
@fengxbj
汽车级认证的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架构，实现高效的应急电源设计。

这类电源的IC是无光耦方案、精确的输出电压，稳压精度很高，可以达到+1/-3%。

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眼睛里的海
LV.9
17
2021-11-18 17:23
@尘埃中的一粒沙
MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。

理论上，MOS管的耐压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。

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快乐的小天使
LV.8
18
2021-11-18 22:36

800V母线需怎样选择MOS的耐压呢，降额是多少呢

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荧火
LV.4
19
2021-12-02 11:14

集成度很高，就是不知道BOM成本是多少？

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cmdz002
LV.5
20
2022-02-21 08:43

需要外加MOS，这个MOS的选择需要注意哪些了？

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cmdz002
LV.5
21
2022-04-23 10:30

InnoSwitch3-AQ产品系列集成了初级和次级控制器以及符合安全标准的反馈电路，设计更加简便。

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opingss88
LV.10
22
2022-11-15 22:14
@fengxbj
汽车级认证的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架构，实现高效的应急电源设计。

保持输出二极管的导通时间和整个开关周期时间比例恒定，实现了输出电流的恒定

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飞翔2004
LV.10
23
2022-11-19 11:17
@opingss88
保持输出二极管的导通时间和整个开关周期时间比例恒定，实现了输出电流的恒定

主要是通过电阻检测原边电流,控制原边电流峰值恒定,同时控制开关占空比来实现恒流。

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飞翔2004
LV.10
24
2022-11-19 11:19
@尘埃中的一粒沙
芯片的同步整流功能用MOSFET替代二极管整流极大地降低了损耗

同步整流利用mos管的低阻抗，通常为几十毫欧，同步变压器的波形驱动MOS管实现整流，整流效率高，损耗低，功率大。

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opingss88
LV.10
25
2022-11-19 22:39
@k6666
IN3997设计的电源，支持外加的StackFET，满足800V及以上母线电压，FluxLink反馈链路，无需光耦。

反向恢复时间长的二极管，反向电流过冲就大，反映到原边，就是电压过冲了

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黑夜公爵
LV.10
26
2023-06-06 20:38
@k6666
IN3997设计的电源，支持外加的StackFET，满足800V及以上母线电压，FluxLink反馈链路，无需光耦。

开关管工作时产生大量的热量，需要装散热片，从而使开关管的集电极与散热片间产生较大的分布电容

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opingss88
LV.10
27
2023-09-17 21:40
@尘埃中的一粒沙
MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。

交流输入电压经过桥式整流及大电容滤波产生一个高压DC电压

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ehi763
LV.6
28
2023-09-18 21:44
@k6666
现在很多采用PSR控制器+800VMOSFET+叠加FET(StackFET)，方案的缺点：输出稳压精度差。

控制方式同时支持连续和非连续导通工作模式，可极大地提高设计灵活性，并在所有工作条件下实现效率最大化。

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tmpeger
LV.10
29
2023-09-23 22:51
@尘埃中的一粒沙
芯片的同步整流功能用MOSFET替代二极管整流极大地降低了损耗

从偏置绕组电容连接一个电阻到旁路引脚，可以从外部向器件供电

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tanb006
LV.10
30
2023-09-25 08:21

900V的内部开关是怎么承受1200V的前级电压的？？？

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黑夜公爵
LV.10
31
2023-12-10 10:24

为了阻止电源电压的变化，可以使用稳压器或者电压钳位元件

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