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INN3266应用于27W的USB PD充电器的设计

      InnoSwitch3-CP将一次侧、二次侧和回授电路整合在单一表面接合封装中。其中有些型号有"GaN" 切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失。GaN 与硅相比具有显著的效率和尺寸优势，采用GaN的电源IC最大输出功率可达100W.   

  手册中主要描述的是5 V / 3.0 A或9 V / 3 A输出USB Type-C应用，支持USB PD 3.0和PPS协议，使用InnoSwitch3-CP的INN3266C和Weltrend WT6615F设计的USB PD控制器，具备短路、过压和过热保护等功能，而此隔离反激式充电器，全负载范围内能够实现精确的恒压恒流恒功率输出，全输入电压范围内满载效率大于80%以上，空载损耗小于50mW，是一款性能非常优异的设计方案。

下图分别为输出5V和9V的效率曲线图。

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大海的儿子
LV.10
3
2022-01-10 20:00

INN3278C、INN3279C和INN3270C三个IC采用PowiGaN技术, 无需散热片的时候输出功率最大100 W。

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dbg_ux
LV.9
4
2022-01-10 20:07

快充都是集成协议IC的，协议IC接在充电器后级，如果支持QC3.0可以采用PI的CHY103

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kckcll
LV.9
5
2022-01-10 20:09
@大海的儿子
INN3278C、INN3279C和INN3270C三个IC采用PowiGaN技术,无需散热片的时候输出功率最大100W。

充电器芯片需要电缆压降补偿，输出线压降补偿的量值与负载成函数关系，与恒流点相关。

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trllgh
LV.9
6
2022-01-10 20:14
@dbg_ux
快充都是集成协议IC的，协议IC接在充电器后级，如果支持QC3.0可以采用PI的CHY103

INN3266与手机内的充电管理IC进行通信识别手机的充电电压和电流，然后控制充电器输出相应的功率。

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xxbw6868
LV.9
7
2022-01-10 20:24

为了提高效率，电路中还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。

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大海的儿子
LV.10
8
2022-01-11 20:58
@kckcll
充电器芯片需要电缆压降补偿，输出线压降补偿的量值与负载成函数关系，与恒流点相关。

连接InnoSwitch-CP IC初级旁路引脚的电容可以为初级侧控制器提供去耦，还可选择限流点。

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trllgh
LV.9
9
2022-01-11 21:02
@xxbw6868
为了提高效率，电路中还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。

在InnoSwitch3-CP系列控制器中，INN3268C可提供最低的RDS（on）,这样可以提高电源的效率。

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k6666
LV.9
10
2022-01-12 19:48
@大海的儿子
连接InnoSwitch-CPIC初级旁路引脚的电容可以为初级侧控制器提供去耦，还可选择限流点。

这个设计的方式比较好，满足不同的限流点设计需求。

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k6666
LV.9
11
2022-01-12 19:49

看整个电源的不同负载下效率都 还是不错的，待机功耗相当的低。

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大海的儿子
LV.10
12
2022-01-12 20:39
@trllgh
INN3266与手机内的充电管理IC进行通信识别手机的充电电压和电流，然后控制充电器输出相应的功率。

智能充电器基本都是通过USB两根数据线和被充电设备进行通信，通信内容基本是增加和减小电流的大小

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trllgh
LV.9
13
2022-01-12 20:44
@大海的儿子
连接InnoSwitch-CPIC初级旁路引脚的电容可以为初级侧控制器提供去耦，还可选择限流点。

可以根据InnoSwitch-CP数据手册中需要的限流点来选择相应的0.1 uF、10uF或1uF电容。

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dbg_ux
LV.9
14
2022-01-12 20:52
@trllgh
在InnoSwitch3-CP系列控制器中，INN3268C可提供最低的RDS（on）,这样可以提高电源的效率。

对于次级整流器选择MOS管而不是肖特基二极管，所以提高电源的效率。

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kckcll
LV.9
15
2022-01-12 20:57
@大海的儿子
智能充电器基本都是通过USB两根数据线和被充电设备进行通信，通信内容基本是增加和减小电流的大小

QC3.0以上适配器可以按照0.2V每格的大小调节输出电压，实现最大功率充电。

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cmdz002
LV.5
16
2022-01-13 13:45

使用InnoSwitch3-CP的INN3266C和Weltrend WT6615F设计的USB PD控制器，具备短路、过压和过热保护等功能

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trllgh
LV.9
17
2022-01-13 21:14
@dbg_ux
对于次级整流器选择MOS管而不是肖特基二极管，所以提高电源的效率。

设计中要使用RDS（on）小的MOS管，这样次级整流管压降小损耗小。

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dbg_ux
LV.9
18
2022-01-13 21:19
@trllgh
可以根据InnoSwitch-CP数据手册中需要的限流点来选择相应的0.1uF、10uF或1uF电容。

在整个功率范围内还具有极高的效率，可降低低待机功耗或睡眠模式的能耗.

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dbg_ux
LV.9
19
2022-01-13 21:19
@trllgh
设计中要使用RDS（on）小的MOS管，这样次级整流管压降小损耗小。

如果在IC的SR端的MOS管并联一个肖特基二极管可以略微提高效率。

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fengxbj
LV.8
20
2022-01-21 17:30

通过这个曲线测试可以发现PI的芯片设计的电源在宽范围电压输入及负载轻重不同都保持优秀的高效率。

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川理学子
LV.8
21
2022-01-23 16:05

使用GaN器件，可以提高电源的运行频率，并减小磁器件的体积，相应的电源整体的体积也会变小

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快乐的小天使
LV.8
22
2022-01-23 18:49

空载损耗小于50mW，全输入电压范围内满载效率大于80%以上，效率具有优势

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lihui710884923
LV.9
23
2022-01-24 12:38

PD充电器这块效率有多高，功率最大可以做到65w？

 

 

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liweicheng
LV.7
24
2022-01-24 19:45

手册中主要描述的是5 V / 3.0 A或9 V / 3 A输出USB Type-C应用，支持USB PD 3.0和PPS协议，使用InnoSwitch3-CP的INN3266C和Weltrend WT6615F设计的USB PD控制器

PD3.0和PPS协议能具体说说吗？

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川理学子
LV.8
25
2022-01-24 21:53
@lihui710884923
PD充电器这块效率有多高，功率最大可以做到65w？  

看手册里面介绍确实有型号可以做到65W，效率这东西我觉得还是看设计，手册里面的效率也是基于Demo板测出来的，不同的PCB设计可能效率也是天差地别

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liunian0711
LV.1
26
2022-01-25 09:02

充电器怎么防道馆

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模块电源-01
LV.2
27
2022-01-27 09:27

变压器输出为啥要用飞线?

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快乐的小天使
LV.8
28
2022-02-21 22:08

控制精度高，全负载范围内能够实现精确的恒压恒流恒功率输出

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spowergg
LV.10
29
2022-06-03 22:46
@liweicheng
手册中主要描述的是5V/3.0A或9V/3A输出USBType-C应用，支持USBPD3.0和PPS协议，使用InnoSwitch3-CP的INN3266C和WeltrendWT6615F设计的USBPD控制器PD3.0和PPS协议能具体说说吗？

PD协议的电能传输可以是双方向的，甚至是组网的，可以具备系统级供电策略

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ehi763
LV.6
30
2022-06-03 23:11
@spowergg
PD协议的电能传输可以是双方向的，甚至是组网的，可以具备系统级供电策略

USBPD3.0协议规范了电压输出范围：3.0V~21V，步进调幅电压为20mV，同时覆盖高压低电流、低压大电流

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opingss88
LV.10
31
2022-10-17 20:42
@trllgh
在InnoSwitch3-CP系列控制器中，INN3268C可提供最低的RDS（on）,这样可以提高电源的效率。

输入电容应该尽可能放在靠近输入引脚的地方，以利于输入电压的滤波

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