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栅极驱动器的电流输出能力问题

看了几个栅极驱动芯片,发现输出电流都达到了4A!

IGBT和MOSFET作为电压驱动型的器件,为何还需要栅极驱动器输出电流达到4A?
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djguo1234
LV.1
2
2008-08-31 11:35
主要是因为GS之间有结电容,驱动电压能使IGBT或MOSFET导通使需对该结电容进行充电,充满之后加在GS的电压才跟你所加的电压一致,关断也是如此,需要该结电容放电完毕,这就是为什么有上升沿和下降沿的缘故了.所以如果开关频率要求不高的话,驱动电流小一点也没关系.个人理解,还请高手们给与指正,万分感激!
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命运宠爱
LV.3
3
2008-08-31 12:23
@djguo1234
主要是因为GS之间有结电容,驱动电压能使IGBT或MOSFET导通使需对该结电容进行充电,充满之后加在GS的电压才跟你所加的电压一致,关断也是如此,需要该结电容放电完毕,这就是为什么有上升沿和下降沿的缘故了.所以如果开关频率要求不高的话,驱动电流小一点也没关系.个人理解,还请高手们给与指正,万分感激!
这个我知道啊,但是4A的电流给单芯片供电是不是也太大材小用了些?
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djguo1234
LV.1
4
2008-08-31 17:23
@命运宠爱
这个我知道啊,但是4A的电流给单芯片供电是不是也太大材小用了些?
打个比方,以型号为FQA8N80C得mosfet为例,如果我们要求的上升沿为3ns时,通过查FQA8N80C的数据手册发现,它的输入电容为1.58NF,驱动电压高于6V时,才允许流过DS的电流大于1A.
那么,由i=c*(du/dt).可得 i=3.16A.
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命运宠爱
LV.3
5
2008-09-01 13:28
@djguo1234
打个比方,以型号为FQA8N80C得mosfet为例,如果我们要求的上升沿为3ns时,通过查FQA8N80C的数据手册发现,它的输入电容为1.58NF,驱动电压高于6V时,才允许流过DS的电流大于1A.那么,由i=c*(du/dt).可得i=3.16A.
这位仁兄果真是高人啊!
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yyl88176535
LV.6
6
2008-09-01 14:50
@djguo1234
打个比方,以型号为FQA8N80C得mosfet为例,如果我们要求的上升沿为3ns时,通过查FQA8N80C的数据手册发现,它的输入电容为1.58NF,驱动电压高于6V时,才允许流过DS的电流大于1A.那么,由i=c*(du/dt).可得i=3.16A.
值得向你学习
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fsc_abt
LV.5
7
2008-09-01 17:02
@yyl88176535
值得向你学习
Fairchild现在已经推出了从2A到9A的栅极驱动器,附表为我们的这一系列产品,相关产品的手册可以到公司网站上下载.
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luojun
LV.8
8
2008-09-22 18:16
@fsc_abt
Fairchild现在已经推出了从2A到9A的栅极驱动器,附表为我们的这一系列产品,相关产品的手册可以到公司网站上下载.
附的表呢?
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