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N-channel Mosfet压降的问题!

如图,仿真与实际电路测试吻合,请教什么情况下才可以让N-channel Mosfet Vds压降最小?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2862251220497665.png?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2862251220497670.png?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2008-09-04 16:20
与你电路的输入电流有关 电流越大 压降越大 MOS管的Rds是厂家给定的 所以只有降低电流才行.如果使用软开关技术那就另一回事了
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evdi
LV.6
3
2008-09-04 18:19
@sealand_1981
与你电路的输入电流有关电流越大压降越大MOS管的Rds是厂家给定的所以只有降低电流才行.如果使用软开关技术那就另一回事了
补充一下,温度一定,Vgs足够大,ID在额定范围以内,Rds才是固定的
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2008-09-05 09:23
@evdi
补充一下,温度一定,Vgs足够大,ID在额定范围以内,Rds才是固定的
前面两位工程师好像都没有仔细看两幅图~
负载只有10K的电阻,可是压降是!!!
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2008-09-05 10:20
@littlexuan
前面两位工程师好像都没有仔细看两幅图~负载只有10K的电阻,可是压降是!!!
就是一个射级跟随器而已
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dadodo
LV.7
6
2008-09-05 11:03
@littlexuan
前面两位工程师好像都没有仔细看两幅图~负载只有10K的电阻,可是压降是!!!
提高12V电压,R1上电压也会上去
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2008-09-05 21:16
@dadodo
提高12V电压,R1上电压也会上去
我自己来说答案吧,上面的工程师都不知所云~

因为驱动电压为12V,源级电压升到接近9V-10V以后,栅级和源级压差2V-3V,不足以完全打开mos管,N-channel场效应管在线性稳压状态,所以电压不再上升,这样说够大白话.
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evdi
LV.6
8
2008-09-05 21:53
@littlexuan
我自己来说答案吧,上面的工程师都不知所云~因为驱动电压为12V,源级电压升到接近9V-10V以后,栅级和源级压差2V-3V,不足以完全打开mos管,N-channel场效应管在线性稳压状态,所以电压不再上升,这样说够大白话.
只知其一不知其二,对与你的现象当然要从mosfet 的输出伏安特性分析.而你只看到表面现象.对于mosfet,根本不存在所谓的“线性恒压“这只不过是你自己创造的名词罢了,只可能有存在“饱和恒流”.你就是把+30V改到1000V,R上的电压是也只能是那个值!
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2008-09-05 22:08
@evdi
只知其一不知其二,对与你的现象当然要从mosfet的输出伏安特性分析.而你只看到表面现象.对于mosfet,根本不存在所谓的“线性恒压“这只不过是你自己创造的名词罢了,只可能有存在“饱和恒流”.你就是把+30V改到1000V,R上的电压是也只能是那个值!
对啊,就是1000v也是那个值,但是我关心的是怎么样改造电路能够使这个电压表测场效应管的源极能够接近漏极的电压~
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littlexuan
LV.2
10
2008-09-05 22:09
@littlexuan
对啊,就是1000v也是那个值,但是我关心的是怎么样改造电路能够使这个电压表测场效应管的源极能够接近漏极的电压~
而且栅极控制端的电压又不能太高~
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evdi
LV.6
11
2008-09-05 22:38
@littlexuan
而且栅极控制端的电压又不能太高~
+12V与+30V共地,用1:1隔离变压器
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evdi
LV.6
12
2008-09-05 22:56
@evdi
+12V与+30V共地,用1:1隔离变压器
给你画了个,里面的电阻电容的数值根据实际调整下,变压器是1:1,电感量几百u吧,根据你的开关频率调整500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/435661220626557.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2008-09-08 09:13
@evdi
给你画了个,里面的电阻电容的数值根据实际调整下,变压器是1:1,电感量几百u吧,根据你的开关频率调整[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/435661220626557.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
lz很好很强大,自问自答,自创新词,让我这个不知所云的人长了很多见识~继续关注高手风范
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