调试时,增大驱动电阻R8,EMI就会平滑一点,但是效率下降 什么问题

没有人能帮我吗??

散热片要接地呀

另外你的散热片尺寸比较大,最好加两个脚固定,不然生产时工艺会有点问题.

修改EMI的觀念有2, 1. 抑制.2導引.现建议你采用以方案修改:
1:你把两个Y电容分开来接,一个地对地,另一个高压对地;
2:用铜泊把X电容包起来,短路后用一导线接入初级地线中(生产时要注意加胶纸)

用铜泊把X电容包起来,短路后用一导线接入初级地线一般可以下降10dB左右

1   500khz肯定是开关频率的倍频.而不是上升下降沿的FFT分解,故,即使改大驱动,降低效率,也是没有办法撼动它的.
2   从线路图中可以到,这是一个没有地线的充电器.所以CE检测到的全是差模.比较直观的做法,是通过调整滤波器找出问题的原因.
3   EMC 2要素: 传播方式/源头
3.1 传导传播方式有两种,一种是沿线传播,一种是空间辐射.直接改大/改小端口电容看看有没有变化.直接改多/改少电感圈数看看有没有变化.将变压器用铜皮(不是um的铜箔)包裹住,看看有没有变化.也可能高频骚扰源来自副边,这时需要将原副边Y电容删除或者串BID来验证. 滤波器谐振也能放大骚扰.
3.2 源头高频和低频是有区别的,高频是上升下降沿的fft分解,低频是开关的倍频.前者可以改小驱动,mos串bid,ds加RC解决; 后者如果是电流型的,只能加强滤波,如果是电压型的,可以改变原副边屏蔽层的接地点以及原副边加大电容来解决.
4   直接看线路图和LAYOUT图,我认为有以下值得推敲的地方:
A x电容应该最靠近端口,把fuse放到里面去.
B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能会使高频变差.
5   EMC问题一般是一言难尽的,如果希望获得好的帮助,最好纪录好实验过程,每一步作了什么,什么效果.

调一下共模电感的电感量看看

在调试过程中,有试过散热片接地,效果不明显.

好,值得试试,谢谢你的建议.

谢谢关注.
但是调前端电感,对低频比较有效--个人看法.

首先感谢你的帮助,看了这些让我对EMC 有了更多的认识.

1、调整前端的滤波器,低频的效果比较好,对500K的那里不明显;
2、“变压器用铜皮(不是um的铜箔)包裹住”这个铜皮跟铜箔有很在的区别吗,之前有用过铜箔,效果不是很明显;
3、"高频是上升下降沿的fft分解,低频是开关的倍频.前者可以改小驱动,mos串bid,ds加RC解决; 后者如果是电流型的,只能加强滤波,如果是电压型的,可以改变原副边屏蔽层的接地点以及原副边加大电容来解决. "这个不了解,能否再说仔细一点.
4、“mos缺乏rc吸收”,那该如何加,能否给一些参考电路?

、"高频是上升下降沿的fft分解,低频是开关的倍频.前者可以改小驱动,mos串bid,ds加RC解决; 后者如果是电流型的,只能加强滤波,如果是电压型的,可以改变原副边屏蔽层的接地点以及原副边加大电容来解决. "
由于波形的上升下降很陡峭,时间很短,所以他的傅里叶分解后频域就高,高频分量就很多.开关频率一般为几十到几百k所以为低频.

B mos缺乏rc吸收.rcd吸收可能会使高频变差.
关于添加RCD会致高频变差,应该是由于D的Trr影响,在D两端再并联RC可解决.

如果说有最终结果请回复上来!此两个方案我以前用的,效果很好,后一方案就是会增加点成本

我建议你把变压器结构调整还原为 NP一半,屏蔽,NS,屏蔽,NP另一半,VCC绕组.从你的传导图上来看根本上没余量,你就是整过了500K那点,生产的时候也难以保障.还有你板画的是不是合理?

还有你的MOS散热片没接地,严重的不行

初级电流检测电阻放在大电容底下,这个有点不可取呀,会影响整机寿命.有时间的话,可以重新调整下LAYOUT.

能否讲一下原理.

留个脚印,感觉PCB LAYOUT的不怎么好.初级VCC的地路这远?

你的Y电容加起来有多大?整个中间频率都有NG,这个只有两个地方可以改下去:
1.把Y电容改大
  2.改变压器的绕法,可以试着把脚位全部反过来.

請問,Y電容的高壓到地的高壓是指 一次側電解電容正端到二次側的地嗎???

多谢各位的关心,我也是刚做电源不久,对 PCB LAYOUT 技巧还不是很了解.
现在这个已经没时间再重新LAYOUT 了.
还有一个:散热片接地,在认证里面有没有这方面的要求?欧洲的.
今天其它的事担误了,没有调EMC ,明天再就各位的建议,做调试.
再次谢谢各位的帮忙.

Y电容是两个472串起来的.
改过,有些效果,但是还是不够,还要从别的方面再调整.
高频变压器的脚位全反过来是怎样的反法,谢赐教.

您的意思是电阻发热会影响电容吧?
下次会注意,这次恐怕是没时间了...
谢谢!

你的PCB不重搞可以,但MOS散热片始终要想办法接地,哪怕是从螺丝那搞根线焊下来到地.否则轻则有异音,影响传导,重则环路不稳,炸机.

想法是对的.
但我还是建议你先把PCB搞好再说,你可以一边调试,一边晚上或什么时候抽空搞PCB.不然后面可能你花的时间会更多.希望我对PCB的判断是错的.

1.MOS散熱片要接地
2.變壓器用兩道屏蔽
估計改了就可以了

不知你初级大电容的温度测试过没?看到你的图,共模干扰很严重,共模电感量大不一定好,最好多换几个试试.一般设计变压器都是将初级的起点设定在MOS管的D脚.将D5改成慢速的二极管,Y电容不要串联,用一颗222基本上够用了.HS是必须要接地的,当然接地的位置也很重要,线要短,要接到大电容引脚地.再综合以上各位朋友的建议修改,如果还不行的话还是考虑修改LAYOUT吧,像“斯文败类”朋友说的那样,现在有问题不搞好,到以后会花更多时间.

1.次级散热片接地.
2.改改Y电容.

我的个人经验一般是
1MHZ以内
以差模干扰为主,增大X电容就可解决
1MHZ---5MHZ
差模共模混合,采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
5M---以上
以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法.
对于外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减/
你可以试试,有什么问题在一起讨论!