全桥、半桥、推挽电路中用的MOS一般都是NMOS，特别市在高压端，很少看到有PMOS，这是基于

同电压电流级别下NMOS内阻更低、价格更低

只是这个原因吗  

暂时只想到这些，看楼下有没有补充

P MOS可选的少，耐压高的基本没见。

关于这个问题，咱刚入这行的时候，也曾困惑，且几乎所有同行，N管的料号一大堆，P管料号寥寥无几。

为什么呢？为此专门请教过公司做研发的资深工程师，

答案是：

N管的内部多子，是自由电子，备注：自由电子携带负电荷。

P管子的内部多子是空穴，备注：空穴就是硅原子，外围丢失了电子形成，空穴为正电荷。

在施加同等外部电场的情况下，

自由电子的迁移能力，及携带电荷的能力，要高于空穴，大约是空穴的2倍。

因此，在同等情况下（Vgs，Vds，Rdson），N管子的晶圆面积大约是P管的一半。

那么，相同耐压Vds，若是Id（实际上就是Rdson）相同的情况下，

P管的晶圆成本大约是N管子的2倍。

还有个问题，因为P的应用场合受到限制，除了在负债开关，及某些直流无刷电机（例如散热风扇的电机）等，必须使用P管外，

P管的应用场景没有N管那么普及。

于是呢，用的较少，所以出货量较小；

又因为出货量较小，前期研发等固定投入而平摊的费用更高。

2个因素叠加一起（晶圆面积更大+平摊费用更高）。

故，同等耐压Vds，同等Rdson，同样封装，P管更贵。