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用INN3370C设计的45W的充电器

      PI的INN3370C是一颗集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能的数控恒压／恒流离线反激式准谐振开关IC，INN3370C使用PowiGaN技术，内置750V耐压GaN开关管，最大支持100W输出，在I2C数传动态高精度控制的同时，INN3370C还内置一路3．6V输出为外置协议IC供电。

     充电器使用INN3370C氮化镓控制器，有效提高适配器功率密度，支持85~265VAC通用输入，47~64Hz的输入频率，充电器具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V/3.25A、3.3-11V/3A电压档位，效率在89.8%以上，主要是搭配了英集芯IP2726协议IC，提高了适配器的兼容性，协议支持更加广泛,用于USB输出端口的快充IC，还支持Type-CDFP、PD2.0、PD3.0、PPS、QC4+、QC3.0、QC2.0等大部分协议，具有高度集成和丰富的功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。

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XHH9062
LV.9
2
2022-12-12 15:46

多口同时输出的时候，输出功率是多少？

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大海的儿子
LV.10
3
2022-12-12 17:21

芯片支持同步整流输出控制，支持I2C接口数控，内置协议芯片供电，外围器件精简。

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飞翔2004
LV.10
4
2022-12-12 17:27

无需外围元件即可提供精确的恒压／恒流／恒功率，与外接快充协议接口IC协同工作实现快充。

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飞翔2004
LV.10
5
2022-12-12 17:27
@大海的儿子
芯片支持同步整流输出控制，支持I2C接口数控，内置协议芯片供电，外围器件精简。

GaN在USB PD快充电源应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量.

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ehi763
LV.6
6
2022-12-12 17:29
@飞翔2004
GaN在USBPD快充电源应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量.

适用于高效率反激式设计，内置同步整流控制器和反馈，更加节省外部元件。

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trllgh
LV.9
7
2022-12-12 17:33
@飞翔2004
GaN在USBPD快充电源应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量.

内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大功率.

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svs101
LV.8
8
2022-12-13 15:03

这个设计电路采用双路USB输出，一个是Type-c接口，输出的功率大，使用也方便。

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飞翔2004
LV.10
9
2022-12-13 16:50
@trllgh
内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大功率.

InnoSwitch3-Pro系列相比CP系列而言，Pro系列还支持PPS快充电源应用，输出电压范围更宽。

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飞翔2004
LV.10
10
2022-12-13 16:50
@ehi763
适用于高效率反激式设计，内置同步整流控制器和反馈，更加节省外部元件。

通过控制信号对输出电压及电流进行精确的动态阶跃控制。保护功能也能通过软件控制。

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ehi763
LV.6
11
2022-12-13 16:53
@飞翔2004
通过控制信号对输出电压及电流进行精确的动态阶跃控制。保护功能也能通过软件控制。

电压阶跃步长为10mV，电流阶跃步长为50mA，从而实现数字可编程的功率变换。

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trllgh
LV.9
12
2022-12-13 16:58
@飞翔2004
InnoSwitch3-Pro系列相比CP系列而言，Pro系列还支持PPS快充电源应用，输出电压范围更宽。

可以设计出比较薄的体积，效率设计的好可以做到90%以上，效率也取决于设计的电路参数。

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trllgh
LV.9
13
2022-12-13 16:59
@ehi763
电压阶跃步长为10mV，电流阶跃步长为50mA，从而实现数字可编程的功率变换。

在一些应用场合，比如PPS，可以更精确的控制输出的电压档位，方便实用。

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大海的儿子
LV.10
14
2022-12-13 17:02
@trllgh
在一些应用场合，比如PPS，可以更精确的控制输出的电压档位，方便实用。

支持快速的输入欠压／过压保护，具备完整全面的保护功能，非常适合用来设计快充的充电器。

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奋斗的青春
LV.10
15
2022-12-14 14:07
@trllgh
在一些应用场合，比如PPS，可以更精确的控制输出的电压档位，方便实用。

对于超薄体积尺寸要求的电源设计，PI的Innoswitch具有很好的性能及指标。

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k6666
LV.9
16
2022-12-14 16:14
@大海的儿子
支持快速的输入欠压／过压保护，具备完整全面的保护功能，非常适合用来设计快充的充电器。

对于小功率PD快充而言，可以选用内置MOS芯片，兼顾性能和成本。

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听听1234
LV.3
17
2022-12-17 17:54

充电器具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V/3.25A、3.3-11V/3A电压档位，效率在89.8%以上

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飞翔2004
LV.10
18
2022-12-17 20:19
@trllgh
可以设计出比较薄的体积，效率设计的好可以做到90%以上，效率也取决于设计的电路参数。

在轻载下一般都是采用降低工作频率的方法来提高轻载效率，也有通过减小损耗来提高效率的。

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ehi763
LV.6
19
2022-12-17 20:33

采用INN3370设计的功率密度高，且空载输入功率很低，为20mW。

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快乐的小天使
LV.8
20
2022-12-22 20:02

外围器件比较少，可以有效减小整体方案的尺寸和成本

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dy-KNLyiTzn
LV.4
21
2022-12-23 15:41

工作频率多少呢？EMI好处理吗？

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dy-n66BzSV7
LV.6
22
2022-12-23 15:51

开关的耐压电压是多少

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dy-nmLUWFNr
LV.8
23
2022-12-23 19:04

双端输出的能量曲线变化是怎么样的

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dy-TMelSvc9
LV.8
24
2022-12-23 19:20

怎么样保证效率维持在89.8%

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dy-KNLyiTzn
LV.4
25
2022-12-24 13:01

对于小体积充电器有很大的优势

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hellbaron
LV.6
26
2022-12-24 22:59

集成芯片能做到这么大功率的输出，确实厉害

 

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xxbw6868
LV.9
27
2023-01-13 19:44
@飞翔2004
GaN在USBPD快充电源应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量.

PowiGaN的器件非常可靠耐用，即使在持续时间较长的输入浪涌期间能保护系统免受电压尖峰的影响，并在浪涌结束后快速恢复。

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trllgh
LV.9
28
2023-01-13 20:37
@xxbw6868
PowiGaN的器件非常可靠耐用，即使在持续时间较长的输入浪涌期间能保护系统免受电压尖峰的影响，并在浪涌结束后快速恢复。

PowiGaN开关可实现更低的导通损耗和开关损耗，无需金属散热片并减少相关的振动影响。

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奋斗的青春
LV.10
29
2023-06-08 14:47
@飞翔2004
在轻载下一般都是采用降低工作频率的方法来提高轻载效率，也有通过减小损耗来提高效率的。

电路设计的PCB比较紧凑，尺寸也小，利于携带方便，并且支持的功率越来越大

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飞翔2004
LV.10
30
2023-07-16 11:26
@trllgh
PowiGaN开关可实现更低的导通损耗和开关损耗，无需金属散热片并减少相关的振动影响。

准谐振(QR)模式的M控制，可降低开关损耗，使电感尺寸小于传统的CRM PFC，并允许使用低成本的升压二极管。

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lishuai110
LV.4
31
2023-07-27 15:22

为啥INN3370C还内置一路3．6V输出，是因为要加一个二极管才能控制住3.3V输出吗

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