• 8
    回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

LLC原边mos管VDS电压过大,炸管的问题求助

电路图如图一,原边输入电压为48V额定电压,输出为320V。

图二为原本的MOS管,耐压为80V,空载情况下已经到了78V,带载或者增加输入电压就炸管。然后换了150V耐压的mos以后空载到了130V左右,任然解决不了问题。求助。

全部回复(8)
正序查看
倒序查看
2023-02-23 23:13

你这是LC振荡,不是LLC,再加个电感缓冲一下就可以了

0
回复
2023-02-24 11:07

柘朴结构不对,原边不允许电感直接连到全桥两臂,必须要有谐振电容隔离

必须要有缓冲电感,就是LLC

这样就不会有你说的上述问题了,但是,又会带来新的问题,需要大量的实验才能解决

0
回复
2023-02-27 14:22
@米山人家
柘朴结构不对,原边不允许电感直接连到全桥两臂,必须要有谐振电容隔离必须要有缓冲电感,就是LLC这样就不会有你说的上述问题了,但是,又会带来新的问题,需要大量的实验才能解决

我这个拓扑是双向的LLC,左边低压侧ZCS,右边高压侧ZVS,拓扑就是这样的。

 

0
回复
ruohan
LV.9
5
2023-03-03 10:09

这种驱动,是用什么驱动的,

0
回复
2023-04-20 22:52

你这应该是双向逆变拓扑

0
回复
2023-04-20 22:56
@星球居民-zPREFzHk
你这应该是双向逆变拓扑

我们刚好做了一款2000W  110V输出的

0
回复
2023-04-20 22:57
@ruohan
这种驱动,是用什么驱动的,

高压侧一般用隔离驱动芯片。

0
回复
stefgq
LV.1
9
01-10 22:54
@dy-yiPGhNKV
我这个拓扑是双向的LLC,左边低压侧ZCS,右边高压侧ZVS,拓扑就是这样的。 

我做的电路一样,之前也有这个问题,现在我完全没走尖峰,你看看是不是输入电解到mosfet的路径过长,

0
回复