电路图如图一,原边输入电压为48V额定电压,输出为320V。
图二为原本的MOS管,耐压为80V,空载情况下已经到了78V,带载或者增加输入电压就炸管。然后换了150V耐压的mos以后空载到了130V左右,任然解决不了问题。求助。
你这是LC振荡,不是LLC,再加个电感缓冲一下就可以了
柘朴结构不对,原边不允许电感直接连到全桥两臂,必须要有谐振电容隔离
必须要有缓冲电感,就是LLC
这样就不会有你说的上述问题了,但是,又会带来新的问题,需要大量的实验才能解决
我这个拓扑是双向的LLC,左边低压侧ZCS,右边高压侧ZVS,拓扑就是这样的。
这种驱动,是用什么驱动的,
你这应该是双向逆变拓扑
我们刚好做了一款2000W 110V输出的
高压侧一般用隔离驱动芯片。
我做的电路一样,之前也有这个问题,现在我完全没走尖峰,你看看是不是输入电解到mosfet的路径过长,