做了个2000W推挽准谐振逆变器,输入电压48V,EE55B磁芯,初级4+4T,次级32T,带重载1500W负载的时候
MOS管发热严重,测得带重载的波形如下:
这是Vds和变压器次级谐振电流波形,可以看到vds变形严重,MOS在大电流导通的时候产生了不小压降,大概有10多伏,这时候的导通损耗相当大了,散热器没一会就烫手了,感觉MOS管的压降不止标称的7.9毫欧,MOS用的是IRFP4668,200V,130A,7.9毫欧。供电用的是锂电池,电压稳定
这是Vgs波形,高电平电压最低11V,理论上能使MOS管完全导通,驱动用的SG3225加图腾柱,理论驱动能力8A
现在不知道为什么MOS导通压这么大,是MOS管的问题还是驱动电路的问题,还是其他问题,希望大家说说自己的看法