最近在搞一款2KW 12V输入的逆变
全桥输出，驱动使用国产芯片，具体哪家的不方便说，免得说我打广告或者污蔑芯片厂家。
使用中发现如下问题，想问问各位，有用过PI的IGBT驱动芯片的给个意见，看看怎么选型好。
下面我把问题具体描述下：
12V经过全桥变压器后，形成320---450V直流电，然后经过两组IGBT组成全桥结构，输出220VAC。
现在的问题是要提高后级全桥的效率，就使劲压迫IGBT的死区。
国产的驱动芯片没死区设置，只能在驱动信号输出之前由专用芯片固定死区。
然而固定死区是有劣势的。在轻载时，完全可以减小死区，因为电流拖尾现象并不严重。
在重载的时候则需要增加死区时间，以防止拖尾造成的共通。
国产的驱动芯片是有检测电流的功能，但线路复杂，而且是用二极管检测IGBT管压降的方式。
二极管的温漂很大，这给设计带来了很多不确定性。测试了很久，始终不能完美准确的在过流或者即将共通的时候关闭驱动输出。
不知道PI有没有一种驱动芯片，可以根据输出功率的大小，主动调整死区时间的？
这样可以压榨IGBT最后一丢丢性能，使低压逆变器具有更高的效率。
上图是书上截取的一段波形。电流的拖尾时间确实与电流有关，也与DV/DT有关。
我测试到的电流波形没有这么完美，总有毛刺，所以拿书上的图来借用一下。
现在就是想把这个电流拖尾给干掉。如果不用IGBT，使用MOS做后级桥，是不是能避免拖尾炸管的问题？
同时也能解决效率问题？有用过MOS代替后级桥的朋友吗？说说你们的经验吧
