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关于PI的IGBT驱动的求助

最近在搞一款2KW 12V输入的逆变

全桥输出,驱动使用国产芯片,具体哪家的不方便说,免得说我打广告或者污蔑芯片厂家。

使用中发现如下问题,想问问各位,有用过PI的IGBT驱动芯片的给个意见,看看怎么选型好。

下面我把问题具体描述下:

12V经过全桥变压器后,形成320---450V直流电,然后经过两组IGBT组成全桥结构,输出220VAC。

现在的问题是要提高后级全桥的效率,就使劲压迫IGBT的死区。

国产的驱动芯片没死区设置,只能在驱动信号输出之前由专用芯片固定死区。

然而固定死区是有劣势的。在轻载时,完全可以减小死区,因为电流拖尾现象并不严重。

在重载的时候则需要增加死区时间,以防止拖尾造成的共通。

国产的驱动芯片是有检测电流的功能,但线路复杂,而且是用二极管检测IGBT管压降的方式。

二极管的温漂很大,这给设计带来了很多不确定性。测试了很久,始终不能完美准确的在过流或者即将共通的时候关闭驱动输出。

不知道PI有没有一种驱动芯片,可以根据输出功率的大小,主动调整死区时间的?

这样可以压榨IGBT最后一丢丢性能,使低压逆变器具有更高的效率。

上图是书上截取的一段波形。电流的拖尾时间确实与电流有关,也与DV/DT有关。

我测试到的电流波形没有这么完美,总有毛刺,所以拿书上的图来借用一下。

现在就是想把这个电流拖尾给干掉。如果不用IGBT,使用MOS做后级桥,是不是能避免拖尾炸管的问题?

同时也能解决效率问题?有用过MOS代替后级桥的朋友吗?说说你们的经验吧

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tanb006
LV.10
2
01-22 13:48

第二个问题来了,看图

这图是在调试的时候拍的,蓝色是用了100V直流做测试,低压不容易坏管子。

黄色是驱动。使用了24V电压,目的是为了得到更快速的上升曲线。

可以看到驱动的时候是有点滞后,关断的时候同样也会滞后,

以为是探头的问题导致不同通道时间不同,调整示波器通道测试依然是这样。

这个滞后的反应应该如何消除?

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XHH9062
LV.9
3
01-25 22:50

帮顶了,没有用过IGBT驱动

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01-25 23:06

帮顶,坐等大神解答

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01-26 22:31

看看大佬反应

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