用INN3977CQ设计12 V输出30 W电源的30 VDC电源。将变压器的初级端一头接在直流母线上，另一头接在INN3977CQIC(U1)内部的集成功率MOSFET器件上。高压瓷介电容器C1用作直流输入电压的去耦电容器，由D2、R1、R2、R3和C2组成的低成本RCD箝位电路限制了由于变压器漏感而产生的最大漏极电压。电容器C15，Y电容器，用来衰减输出上的高频共模噪声。IC是自启动的，在直流输入电压首次应用时，使用内部高压电流源给BPP引脚电容器C4充电。在正常操作期间，初级侧块由变压器的一个辅助绕组供电。该输出被配置为反激式绕组，经二极管D3和电容器C3整流和滤波后，通过限流电阻R4馈入BPP引脚。
为12V输出提供输出整流由SR FETs Q1和Q2提供。低ESR电容器C7、C8、C9、C12、C13和输出电感器L1提供滤波。陶瓷电容器C15在输出上衰减高频噪声。RC缓冲网络由Q1和Q2的R7、R8和C5组成，用于抑制由于变压器绕组的漏感器和次级引线电感而产生的SR FETs的高频振铃。Q1和Q2的栅极基于通过R5感测的绕组电压和IC的FWD引脚而打开。在连续导通模式操作中，功率MOSFET在次级侧控制器从初级侧发出新的开关周期指令之前刚刚关闭。在断续模式下，当MOSFET两端的电压降低于地线时，MOSFET将被关闭。初级侧MOSFET的次级侧控制确保它从未与同步整流MOSFET同时开启。MOSFET驱动信号在SR引脚上输出。IC的次级侧由次级绕组正向电压或输出电压自供电。输出电压为器件供电，馈入VO引脚。它通过内部调节器向去耦电容器C6充电。
电阻器R9和R11形成了一个感知输出电压的分压器网络。INN3977CQ IC具有1.265 V的内部参考。电容器C11提供与影响电源运行的高频噪声的解耦，并且C10和R10是前馈网络，以加速响应时间以降低输出纹波。输出电流由R6感知，其阈值约为35 mV，以减少损耗。一旦超过了这些电阻器上的电流感知阈值，该设备将调整开关脉冲的数量，以保持一个固定的输出电流。
