• 20
    回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

工业电源中GaN的应用 你知道多少？

传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能把功率密度做的更高。而GaN更优的开关能力可以使其用更少的器件更有效地转换更高水平的功率。

因为用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的击穿电压、低的阈值电压、低的栅极电荷Qg，其开关频率高，导通电阻小。所设计的产品更容易实现小尺寸、低损耗。

但是GaN FET也有缺点，在高频应用场合表现比较明显，比如其对寄生参数极其敏感，高频使用时极易使栅极电压产生振荡，引起栅极过电压，导致器件工作不稳定，甚至不安全。因此相较于传统的Si基半导体器件的驱动电路，GaN FET的驱动设计要求更为严苛。

如下图，功率氮化镓场效应晶体管具备极低的Qrr和非常快速的开关转换，开关损耗更低，效率更高。

基于PI的氮化镓InnoSwitch系列器件所开发产品在效率体积方面就很有优势，得到了广泛的商用。

全部回复(20)
正序查看
倒序查看
听听1234
LV.3
2
06-25 16:36

使用GaN作为功率器件是否意味着在电源供应器中可以同时实现更高的功率密度和更高的效率，而不需要牺牲外形尺寸和散热性能？

0
回复
小布叮
LV.4
3
06-25 18:46

氮化镓需要特殊的驱动器吗，还是说普通MOS管驱动器就可以实现？

0
回复
dy-StTIVH1p
LV.8
4
06-25 20:29

受限击穿电压，是不是会影响信号高速传导

0
回复
dy-mb2U9pBf
LV.8
5
06-25 21:33

击穿电压低、阈值电压低、栅极电荷Qg低，开关频率高，导通电阻小，这些都是GaN材料的优势。

0
回复
XHH9062
LV.9
6
06-25 21:42

氮化镓器在电源中具体应用很多

0
回复
denyuiwen
LV.7
7
06-26 12:54

半导体功率器件在功率转换应用中充当开关电源——处于“关断”状态阻断电流，即使在施加的电压很高时也是如此；处于“导通”状态时，对电流的流动阻力要非常小。因此，功率半导体材料需要具有高击穿电场和高电荷迁移率。电力电子领域，GaN和SiC取代硅基电子器件，正是由于它们在这些方面比硅材料性质更大的优势。

0
回复
打你不许哭
LV.6
8
06-26 14:08

尽管GaN在工业电源中具有许多优点，但其制造和应用仍面临一些挑战

0
回复
打你不许哭
LV.6
9
06-26 14:09

所谓的挑战就是 高成本、技术难题和市场竞争等

0
回复
打你不许哭
LV.6
10
06-26 14:09

GaN在工业电源中的应用为电源电子行业带来了革命性的变化

0
回复
only one
LV.7
11
06-26 22:17

因为用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的击穿电压、低的阈值电压、低的栅极电荷Qg，其开关频率高，导通电阻小。，价格会高很多吗

0
回复
方笑尘MK
LV.7
12
07-15 08:44

GaN的高频特性有助于设计更小、更轻的系统，同时保持高功率输出

0
回复
cwm4610
LV.6
13
07-25 21:36

好帖子，知识普及，大家可以去看看。还是有很多收获的

0
回复
dy-StTIVH1p
LV.8
14
07-25 22:38

击穿电压对信号传输有哪些特殊要求

0
回复
追魂幡℃
LV.7
15
07-27 01:07

工业GAN了解不太多 学习了

0
回复
沈夜
LV.7
16
07-28 21:03

如何提高GaN FET在高频应用中的稳定性和安全性？

0
回复
CDJ01
LV.5
17
07-28 21:51

GaN驱动电路设计该如何减少寄生参数对其的影响

0
回复
千影
LV.5
18
07-28 21:54

如何提高GaN FET的驱动电路的可靠性和稳定性？

0
回复
k6666
LV.9
19
08-05 15:24
@小布叮
氮化镓需要特殊的驱动器吗，还是说普通MOS管驱动器就可以实现？

使用该技术空载功耗更低，使电源设计能够轻松符合所有全球能效标准。

0
回复
方笑尘MK
LV.7
20
08-05 18:14

GaN技术在工业电源中的应用包括电信和服务器电源、太阳能系统和储能系统、电池测试、汽车OBC和直流/直流转换器以及HVAC和电器等

0
回复
k6666
LV.9
21
11-07 08:59
@方笑尘MK
GaN的高频特性有助于设计更小、更轻的系统，同时保持高功率输出

PowiGaN初级开关可提供极低的RDS(ON)，并降低开关损耗。

0
回复
立
即
发
帖