将变压器原边的一端连接到直流母线。另一端连接到一个高压（500V）MOSFET（Q4），该MOSFET与INN3977CQ集成电路（U1）内的集成功率MOSFET的漏极级联。在这种配置中，原边的有效漏-源电压额定值为1250 VPK。
高压陶瓷电容器C1和C16用作直流输入电压的去耦电容器，由D1、D2、R1、R2和C2形成的低成本RCD钳位将921 VDC输入时的峰值StackFET漏极电压限制在约1100 V，这是由于变压器漏感的影响。电容器C15，Y电容器，用于衰减输出上的高频共模噪声。
IC是自启动的，使用内部高压电流源在首次施加直
流输入电压时为BPP引脚电容器C4充电。在正常运行期间，原边块由变压器上的辅助绕组供电。其输出被配置为回扫绕组，通过二极管D3和电容器C3进行整流和滤波，并通过限流电阻R3送入BPP引脚。
齐纳二极管VR2和VR3将INN3977CQ IC（U1）上的最大漏-源电压钳制在650 V以下。VR1确保Q4的最大栅-源电压不超过15 V。电阻器R13、R14和C17在其源极被U1的漏极切换为低电平时增强Q4的栅极偏置。
INN3977CQ IC次级提供输出电压、输出电流检测并为提供同步整流的MOSFET驱动。12V输出的输出整流由SR FETs Q1和Q2提供。低ESR电容器C7、C8、C9、C12、C13和输出电感L1提供滤波。RC缓冲网络，包括R6、R7和C5用于Q1和Q2，抑制由变压器绕组的漏感和次级迹线电感引起的高频振荡。基于通过R4和IC的FWD引脚感测到的绕组电压，Q1和Q2的栅极被打开。在连续导通模式操作中，功率MOSFET在次级侧控制器从原边指令新开关周期之前刚好关闭。在非连续模式下，当MOSFET两端的电压降低于地时，MOSFET关闭。次级侧对原边MOSFET的控制确保它永远不会与同步整流MOSFET同时开启。MOSFET驱动信号在SR引脚上输出。IC的次级侧通过次级绕组正向电压或输出电压自供电。输出电压通过VO引脚为设备供电，它将通过内部调节器为去耦电容器C6充电。
电阻器R8和R10形成一个分压网络，用于感测输出电压。INN3977CQ IC有一个内部参考电压为1.265 V。电容器C11提供对影响电源操作的高频噪声的去耦，而C10和R9是前馈网络，用于加快响应时间以降低输出纹波。输出电流通过R5感测，阈值约为35 mV以减少损耗。一旦这些电阻器上的电流感测阈值被超过，设备将调整开关脉冲的数量以维持固定的输出电流。
