SID11xXKO是采用eS0P封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。
该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8 A峰值输出驱动电流可直接驱动600A(典型值)的IGBT和MOSFET,而无需使用外置推动级。对于超出SID11xxKQ的最大输出电流的门极驱动要求，可以在外部添加一个放大器(推动级)。
稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能，可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。控制器(PWM和故障)信号兼容5VCMOS逻辑电平，使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15V.
单通道SCALE-iDriver™产品系列适用于驱动耐压在750 V以内的IGBT和MOSFET或其他半导体功率开关，并在微控制器与功率半导体开关之间提供加强绝缘。IN管脚施加的逻辑输入(PWM)指令信号与VCC管脚提供的原方供电电压，均以GND管脚为参考点。功率器件和SCALE-iDriver的工作状态通过SO管脚监控。PMW指令信号通过FluxLink绝缘技术从原方(IN)传输至副方。
GH管脚在开通过程中提供正门极电压并对半导体门极充电。GL管脚在关断过程中提供负电压并对门极放电。短路保护通过利用VCE管脚监控IGBT的退饱和现象来实现。SCALEiDriver检测到短路时，通过高级软关断(ASSD)技术来激活半导体的关断过程。
电源SID1181KQ需要使用两个电源。其中一个是原方电源(VVCC)，为原方逻辑电路以及与副方（绝缘）的通信供电。另一个供电电压用于副方，在VISO管脚与COM管脚之间施加电压VTOT。VTOT需要与原方绝缘，并且至少具有与SCALE-iDriver相同的绝缘能力。VTOT与原方或任何其他副方的电容耦合必须非常低。正门极-发射极电压由VVISO提供，该电压在内部生成并稳定至15 V（典型值），以VEE管脚为参考点。
负门极-发射极电压由VVEE提供，以COM管脚为参考点。由于VEE管脚提供的电流能力有限，任何额外负载需要连接在VISO与COM管脚之间，VISO与VEE管脚之间或者VEE与COM管脚之间不允许连接任何额外负载。输入和故障逻辑（原方）输入(IN)和输出(SO)可直接采用5 V CMOS逻辑。
如果控制器与SCALEiDriver的实际距离较大，或者如果要求采用不同的逻辑电平，则可以使用图5中的电阻分压或图13和14中的施密特触发器。这两种方案都可以根据需要调整逻辑电平，也能提高驱动器的抗干扰性。门极驱动器指令从IN管脚传输至GH和GL管脚，传输延迟分别为tP(LH)和tP(HL)。在正常工作期间，如果检测不到故障，SO管脚保持高阻抗（开路）。有故障时 S O 管脚连接至 GND 。只要 V VCC电压（原方）保持低于UVLOVCC，SO管脚就保持低电平，传输延迟可以忽略不计。
如果检测到退饱和（存在短路），或者供电电压VVISO和VVEE（在副方）分别降到UVLOVISO和UVLOVEE以下，SO状态在经过延迟时间tFAULT后变低，该状态会保持一段时间，定义为tSO。一旦发生故障，驱动器就进入关断状态（GL管脚连接至COM）。在tSO期间，来自IN管脚的指令信号将不会被执行。需要重新给驱动器一个开通指令的上升沿，驱动器才会再次开通。SO管脚电流表示为ISO；低电平状态下的电压表示为VSO(FAULT)
