• 20
    回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

反激变压器优化

PI反激电源设计方案比较成熟,变压器是开关电源ACDC电源不可或缺的器件,其参数优化很重要。

PI这个控制器在待机时会降低开关频率,进行节能,可以减少开关器件损坏,但是由于待机时有效工作频率很低,并且一般限流点很小,磁通变化小,磁芯损耗很小,对待机影响不大,但绕组损耗是不可忽略的。

变压器绕组引起的损耗主要是由绕组的层与层之间的分布电容的充放电损耗(分布电容在开关MOS管关断时充电,在开关MOS管开通时放电引起的损耗。)

当测试mos管电流波形时,刚开启的时候有个电流尖峰主要由变压器分布电容引起,PI对于这个电流尖峰是有前沿消隐电路处理的,不然会误触发保护造成掉电。

改善方法:在绕组层与层之间加绝缘胶带,来减少层间分布电容。

全部回复(20)
正序查看
倒序查看
denyuiwen
LV.7
2
09-24 18:27

三名治绕法还是最合适开关电源的

0
回复
09-24 19:46

优化过程会带来信号能量的损失么

0
回复
only one
LV.7
4
09-24 23:49

PI这个控制器在待机时会降低开关频率,进行节能,可以减少开关器件损坏,但是由于待机时有效工作频率很低,并且一般限流点很小,磁通变化小,磁芯损耗很小,对待机影响不大,但绕组损耗是不可忽略的。ruhejianxiao d ?

0
回复
09-25 00:00

当测试mos管电流波形时,刚开启的时候有个电流尖峰主要由变压器分布电容引起,PI对于这个电流尖峰是有前沿消隐电路处理的,不处理可以吗

0
回复
htwdb
LV.7
6
09-25 13:34

变压器绕组引起的损耗主要是铁损和铜损。铁损主要与铁芯相关,而铜损则与绕组中的电流有关

0
回复
tanb006
LV.10
7
09-25 14:53

每一层都从左边或者右边绕至,也可以减少分布电容。

0
回复
09-25 17:47

是否需要增加多级传输来提高信号稳定性

0
回复
xxbw6868
LV.9
9
09-25 19:53
@tanb006
每一层都从左边或者右边绕至,也可以减少分布电容。

分布电容在开关MOS管关断时充电,在开关MOS管开通时放电引起的损耗。

0
回复
XHH9062
LV.9
10
09-25 21:02

反激变压器设计有哪些注意事项

0
回复
沈夜
LV.7
11
09-25 21:44

如何降低PI控制器待机时的绕组损耗?

0
回复
09-26 00:40

变压器绕组引起的损耗主要是由绕组的层与层之间的分布电容的充放电损耗(分布电容在开关MOS管关断时充电,在开关MOS管开通时放电引起的损耗。)损耗可以消除吗?

0
回复
dy-nmLUWFNr
LV.8
13
09-26 07:08

反击变压器的电压波动对信号传输会带来哪些干扰

0
回复
dy-TMelSvc9
LV.8
14
09-26 07:40

优化过程中会带来系统能耗的增加么

0
回复
fzwwj95
LV.5
15
09-26 10:11

尖峰消隐后效果怎么样,有对比图或者数据吗

0
回复
09-26 21:32

在绕组层与层之间加绝缘胶带,来减少层间分布电容

0
回复
cwm4610
LV.6
17
09-27 07:14

反击变压器的设计原理分别是多少?有案例?

0
回复
dy-StTIVH1p
LV.8
18
09-27 07:27

反击电压的优化过程中会带来系统能耗的增大么

0
回复
k6666
LV.9
19
10-11 09:25
@tanb006
每一层都从左边或者右边绕至,也可以减少分布电容。

变压器的铁心结构是其核心部分,优化铁心结构可以提高效率和减少损耗。

0
回复
旻旻旻
LV.7
20
10-15 22:34

通过优化MOSFET的驱动电路,可以减少开关过程中的栅极电荷,从而降低开关损耗

0
回复
沈夜
LV.7
21
10-28 00:47

如何减小PI控制器待机时的绕组损耗?

0
回复