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inn3697开发电源的优势

现在市场电源对高功率器件的性能要求越来越高,尤其是对宽禁带半导体材料的迫切需求,氮化镓产品正在迅速取代基于硅(Si)的功率产品,成为开关电源领域的新宠儿。氮化镓具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持更高环境温度工作等特点,能够在更高的电压下提供更低的损耗,并且在开关切换时使用的能量更少。

INN3697主控芯片具有更高的电压裕量,以及更出色的耐用性和可靠性,适用于很多更高输入电压的应用,而即使在输入电压不稳定的情况下,也能对其提供保护保证整体电源的可靠运行。PowiGaN™功率变换的效率可以达到93%,这不仅能使工作温度大幅降低,还有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。即使在高达85W输出功率的情况下,也无需金属散热片。

inn3697芯片的性能优势:

INN3697开发的电源支持宽范围的电压输入90~265VAC,电源输出电压多种规格,输出纹波小,精度高,效率高于90%,待机功耗很低。

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10-11 14:47

芯片的FluxLink反馈和恒功率特性,非常适合离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源

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飞翔2004
LV.10
3
10-12 13:42
@奋斗的青春
芯片的FluxLink反馈和恒功率特性,非常适合离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源

FluxLink通信技术可使 IC 封装位于安规隔离带上,从而提高效率并省去光耦器。

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10-16 13:15

900V PowiGaN开关可提供更大的功率和更高的设计裕量,并且效率高于硅基变换器。

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tanb006
LV.10
5
10-17 16:35

看芯片内部直线距离很近啊,难道不担心安规过不了吗?

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htwdb
LV.7
6
10-18 14:08

对于小功率电源方案电源的输出效率如何哪些关键器件起决定性作用?

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trllgh
LV.9
7
10-19 09:32

InnoSwitch3系列新器件具备极快速的动态响应和较低的输出纹波,其电压精度可达正负3%,电流精度正负-5%。

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tanb006
LV.10
8
10-19 10:55
@飞翔2004
FluxLink通信技术可使IC封装位于安规隔离带上,从而提高效率并省去光耦器。

其实很多芯片都可以放在变压器下面,变压器的磁芯本来就是个闭环,只有气隙部分会有影响。

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spowergg
LV.10
9
10-19 13:22
@大海的儿子
900VPowiGaN开关可提供更大的功率和更高的设计裕量,并且效率高于硅基变换器。

900V PowiGaN开关提供更高的安全裕量,非常适合市电电压不稳的国家或地区。

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10-25 00:19

现在市场电源对高功率器件的性能要求越来越高,尤其是对宽禁带半导体材料的迫切需求,氮化镓产品正在迅速取代基于硅(Si)的功率产品,碳化硅有东西

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only one
LV.7
11
10-25 00:36

INN3697主控芯片具有更高的电压裕量,以及更出色的耐用性和可靠性,适用于很多更高输入电压的应用,高压怎么样的

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dy-nmLUWFNr
LV.8
12
10-25 13:56

对电源传输频率有哪些特殊要求

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dy-XU5vrphW
LV.7
13
10-25 14:15

怎么样保证信号的散热有效进行

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dy-StTIVH1p
LV.8
14
10-25 15:30

怎么样有效减小开关电源的待机功耗

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小燕纸
LV.4
15
10-25 20:48

损耗小效率高就可以减少散热片这些大尺寸元件,有利于小型化设计

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XHH9062
LV.9
16
10-25 23:23

PI的电源管理芯片功能很强大

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小燕纸
LV.4
17
10-26 18:32

目前氮化镓应用的多吗,硅器件还是主流吗

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dy-TMelSvc9
LV.8
18
10-26 19:59

低功耗高可靠性应该是主要优点

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dy-StTIVH1p
LV.8
19
10-26 21:10

可以大幅度提高信号传输效率

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10-27 20:24

高功率且高效率,PI很棒

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沈夜
LV.7
21
10-28 00:28

氮化镓材料在电源转换中的应用如何提升能效和可靠性?

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