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探讨:四槽AA/AAA充电器的各种充电方式

首先向各位大侠问好:
   我是一家专业充电方案公司的总工,从事充电技术近8年,想跟大家探讨一下四槽AA/AAA充电器,我们在Ni-MH电池组上的充电技术很有优势.每月的出货量近500K,我们在四槽充电方案上也有三年半的研发经验,产品基本成熟,但还是有些性能不能让人满意.望各位大侠多多指教!
   我认为四槽充电技术是极难的,那些认为大陆技术不错的,可能只是给自己一个安慰而已,国外做的完美的就是三洋,国内GP、品新也还可以,其难点如下:
㈠.发热问题:AC-DC是发热的,由于单个电池电压低,变压器次边整流用肖特基二极管发热很严重,如果采用同步整流技术,则技术、成本都有问题;后级(独立控制用)开关管也发热,Ni-MH电池到后期也是发热的.一旦电池过早发热,就很难充饱,因为Ni-MH电池的温度特性并不好;
㈡.Ni-MH电池的-△很少,单个应在2-6mV之间,理论上应检测的到,但是一般的单片机A/D转换只能取10bit的.10bit以上的单片机成本是个大问题,10bit以下的完全不用考虑.而作为A/D的参考电压,噪音有15mV,在所有判定Ni-MH电池充饱的条件中-△最可靠,温度则存在温度电阻坏的情形,AC/DC发热会扩散,只能做辅助的判定;
㈢.独立四槽有三种方法: 1.分时充;2.串联;3.假并联.
三种方法各有各的优缺点:
1.分时充由于电池只有1/4时间有电流,则充电电流是平均电流的4倍.电流越大,电池越发热(2Ah电池加2A电流,电压会到2V.电池中损耗可用近似如下公式来算:V(I=2A)=2.0V,V(I=0)=1.45V,则P损耗={V(I=2A)-V(I=0)}×I=1.1W,此外还有开关管的损耗;
2.串联方法发热的问题相对好办些,但考虑每个电池容量不同、特性不同,需要8个开关管来控制,控制回路复杂,CPU ROM要长,成本是个问题;
3.假并联的难点:因为是并联,每个电芯有差异,电压不完全相同,其分配的每个电池上的电流不完全相同,所以单独判断是否充饱更难.
   如果说日本人有什么优势的话,则是日本品牌可以容忍更高的成本.
   上面是本人的一些拙见,各位大侠请不吝指教!哪位大侠要是对这方面很有兴趣,我们进一步探讨,也欢迎E-mail给我:pgh101@163.com,盼复!
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2005-07-04 17:33
请问市面上比较成熟的产品多采用哪种方式啊?
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swanok
LV.4
3
2005-07-04 19:01
向兄台请教几个问题:
1.NICD&NIMH电池充电时最高温度可设定到多高?
2.NICD&NIMH电池充电时最高电压应设定到多高?
3.两个电池串联充电时一个含电量多一个含电量少如何控制?(控制不好会把含电量多的那个电池充爆)
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pgh101
LV.1
4
2005-07-06 15:22
@云逸天涯
请问市面上比较成熟的产品多采用哪种方式啊?
这种产品一般是:国内的多采用串联,国外的采用并联方式.
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wind_zhou
LV.1
5
2005-07-06 20:02
假并联也能让让每个电池恒流呀,你说的不能恒流是不对的.
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qiuyy
LV.6
6
2005-07-07 07:58
假并联充电的时候,AA/AAA的长度尺寸不一样,可以在在结构上进分开,然后接不同的取样电阻到地,可以控制两种不同的电流.我个人非常赞同并联分时的充电方式,虽然说软件稍复杂点,但用起来,就像脉冲充电方式一样,值推荐.当然它需要的硬件资源和AD口又多得多了.用三星的某款芯片,它有9路10BIT的AD,DIP20封装,51内核,指令灵活,是一个不错的选择.我个人不喜欢RISC单片机,几个BANK选来选去,烦不烦.
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wrz111
LV.1
7
2005-07-08 08:57
@qiuyy
假并联充电的时候,AA/AAA的长度尺寸不一样,可以在在结构上进分开,然后接不同的取样电阻到地,可以控制两种不同的电流.我个人非常赞同并联分时的充电方式,虽然说软件稍复杂点,但用起来,就像脉冲充电方式一样,值推荐.当然它需要的硬件资源和AD口又多得多了.用三星的某款芯片,它有9路10BIT的AD,DIP20封装,51内核,指令灵活,是一个不错的选择.我个人不喜欢RISC单片机,几个BANK选来选去,烦不烦.
兄台你能告诉我这款芯片的型号吗
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wrz111
LV.1
8
2005-07-08 09:01
@wrz111
兄台你能告诉我这款芯片的型号吗
楼上楼下的兄台目前市面上的开关电源充电器用的电路,那一种充电方式好啊
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xyb755
LV.6
9
2005-07-08 10:15
@wrz111
兄台你能告诉我这款芯片的型号吗
samsung s3f9454,我公司主要就用该MCU开发电池,电池组快速充电器方案,主要在外销市场.
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dirk_hu
LV.1
10
2005-07-08 15:49
@xyb755
samsungs3f9454,我公司主要就用该MCU开发电池,电池组快速充电器方案,主要在外销市场.
如果用并联方式的话,副边的二极管会承受很大的压降,加上电流很大,二极管发热是个大问题,不知道如何解决这个问题,各位大侠帮帮忙!
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xyb755
LV.6
11
2005-07-08 15:56
@dirk_hu
如果用并联方式的话,副边的二极管会承受很大的压降,加上电流很大,二极管发热是个大问题,不知道如何解决这个问题,各位大侠帮帮忙!
不知你用多达电流充电,一般小电流用并联,大电流选串联,用MOSFET.
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dirk_hu
LV.1
12
2005-07-08 18:19
@xyb755
不知你用多达电流充电,一般小电流用并联,大电流选串联,用MOSFET.
当四节并联同时充电的话,通过二极管的电流为2.5A,我用的二极管的为肖特基10A,反相电压值为40V.用电压表测试二极管的压降为1.8V,二极管的温度上升到了93度左右,而且是在室温25度,敞开的环境下.这种并联的方式大电流充电是不是不可行?
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hjjwb-power
LV.4
13
2005-07-09 09:10
@qiuyy
假并联充电的时候,AA/AAA的长度尺寸不一样,可以在在结构上进分开,然后接不同的取样电阻到地,可以控制两种不同的电流.我个人非常赞同并联分时的充电方式,虽然说软件稍复杂点,但用起来,就像脉冲充电方式一样,值推荐.当然它需要的硬件资源和AD口又多得多了.用三星的某款芯片,它有9路10BIT的AD,DIP20封装,51内核,指令灵活,是一个不错的选择.我个人不喜欢RISC单片机,几个BANK选来选去,烦不烦.
PIC是的. AVR就不存在BANK问题,而且SRAM大多了 512B~4KB
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hjjwb-power
LV.4
14
2005-07-09 09:35
@dirk_hu
当四节并联同时充电的话,通过二极管的电流为2.5A,我用的二极管的为肖特基10A,反相电压值为40V.用电压表测试二极管的压降为1.8V,二极管的温度上升到了93度左右,而且是在室温25度,敞开的环境下.这种并联的方式大电流充电是不是不可行?
二极管的压降为1.8V?  肖特基10A在流过2.5A电流(算峰值5A)压降不可能那么高.

恐怕不是肖特基.
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yzds409
LV.8
15
2005-07-09 21:35
如果说日本人有什么优势的话,则是日本品牌可以容忍更高的成本.
你就不能也用更高的成本?不要再做垃圾产品了,
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