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请问做变频功率器件选用IGBT和MOS管有什么区别吗

一般的时候都是用IGBT吧.为什么不用MOS管吗
是不是MOS管的在关断的时候电流拖尾比较长呢?
还是别的原因?
谢谢
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2005-08-29 11:25
是由于MOS管的耐压和电流的限制吗
具体有什么问题.在做驱动部分的时候对MOS管和IGBT的考虑
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switch111
LV.3
3
2005-09-02 21:53
你说反了,IGBT的拖尾较长.
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2005-09-03 08:16
@switch111
你说反了,IGBT的拖尾较长.
谢谢.所以IGBT在关端的时候一般都加反相电压来
加速他关端的.
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hadkc
LV.6
5
2005-09-04 11:19
两种管子特性是不一样的,IGBT结和了MOS管双极晶体管的优点.事实上是MOS管和双极晶体管的组合管,驱动和MOS管一样,属电压型驱动.输出有比MOS管更小的开关电阻,更快的开关速度.
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hadkc
LV.6
6
2005-09-04 11:20
@hadkc
两种管子特性是不一样的,IGBT结和了MOS管双极晶体管的优点.事实上是MOS管和双极晶体管的组合管,驱动和MOS管一样,属电压型驱动.输出有比MOS管更小的开关电阻,更快的开关速度.
当然,还有更高的耐压.
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hvic
LV.4
7
2005-09-05 16:16
@hadkc
两种管子特性是不一样的,IGBT结和了MOS管双极晶体管的优点.事实上是MOS管和双极晶体管的组合管,驱动和MOS管一样,属电压型驱动.输出有比MOS管更小的开关电阻,更快的开关速度.
IGBT比MOSFET快,第一次听说,呵呵
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亚藤
LV.4
8
2006-04-26 09:23
@hadkc
两种管子特性是不一样的,IGBT结和了MOS管双极晶体管的优点.事实上是MOS管和双极晶体管的组合管,驱动和MOS管一样,属电压型驱动.输出有比MOS管更小的开关电阻,更快的开关速度.
mosfet要比igbt快的 呵呵
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2006-04-28 11:16
@亚藤
mosfet要比igbt快的呵呵
什么牌子的IGBT 最好?
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亚藤
LV.4
10
2006-04-28 16:34
@totoyy1980
什么牌子的IGBT最好?
我们用的是德系的 日系和美系的不清楚
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zst_neil
LV.3
11
2006-04-29 13:22
通常高耐压的mos管的导通电阻(压降高)大,而且耐压越高导通电阻越大,(除了采用COOLMOS管芯的以外),igbt,是采用mos结构的双极器件导通电阻小(发热就少)高耐压,开关频率与mos管差不太多(关断稍慢)
驱动两种电路可以一样,只是igbt输入电容较mos大故需提供更大的正负电压的驱动功率
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elecmachine
LV.4
12
2006-04-30 15:33
@亚藤
我们用的是德系的日系和美系的不清楚
我用的是日系的,当初找别的系的没找到!
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totoyy1980
LV.4
13
2006-05-12 11:48
代理品牌有:
1、EUPEC(IGBT,整流桥,功率组件,可控硅);
2、IXYS  (IGBT,power mosfet,快速恢复二极管)
3、CDE (螺栓型电解电容 ,吸收电容)
4、TT (BGA,高压电阻,线路消声消除电阻,制动电阻,军品电阻,传感器)
5、台湾建准电机(直流风机,交流风机)
6、CT-Concept(IGBT模块驱动)
联系人:于先生   联系方式:13728750015
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totoyy1980
LV.4
14
2006-05-18 11:16
做大功率逆变器电源的兄弟们注意
供应EUPEC的IGBT模块!高压高容电容,精密电阻,风扇,高压MOS,==一系列配套产品,各地交货,一及代理!有兴趣的来聊聊,联系人:于先生
联系电话:13728750015
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topman
LV.2
15
2006-06-22 17:26
@hadkc
两种管子特性是不一样的,IGBT结和了MOS管双极晶体管的优点.事实上是MOS管和双极晶体管的组合管,驱动和MOS管一样,属电压型驱动.输出有比MOS管更小的开关电阻,更快的开关速度.
MOS更快些吧,IGBT到20K就不错了,大功率的更加低.MOS管的耐压耐流等比IGBT低些,导通压降大.IGBT由于有电导调制效应,压降比较固定.其实MOS的安全工作区更宽,且由于电阻正温系数,可以方便并联使用
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jiutian
LV.2
16
2006-06-28 14:56
@elecmachine
我用的是日系的,当初找别的系的没找到!
兄弟啊,怎么找不到呢,怎么用上日系的呢,还记得宁波的兄弟们打的标语吗?买鬼子的东西,以后鬼子射向你的子弹就是你资助的!你怕不怕!
德系好是好有点贵,那就用美系吧,IR的,MOS管,IGBT质量是有口碑的,MSN:aiglzhu@hotmail.com
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han9934087
LV.5
17
2006-06-30 15:05
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同.
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXYS有一款MOSFET,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫欧),这是电流最大的一款;电压高的一款IXFN38N100Q2(1000V,38A)这个是目前推广最多的产品,用于高频感应加热.
2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.
3,就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域
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zhangfengqx
LV.4
18
2006-07-18 17:19
@jiutian
兄弟啊,怎么找不到呢,怎么用上日系的呢,还记得宁波的兄弟们打的标语吗?买鬼子的东西,以后鬼子射向你的子弹就是你资助的!你怕不怕!德系好是好有点贵,那就用美系吧,IR的,MOS管,IGBT质量是有口碑的,MSN:aiglzhu@hotmail.com
供应IGBT驱动器KA841,K57962
    快恢复二极管F12C20C,F12C20A,F16C20C,F16C20A,F12C40C,F12C40A,F16C40C,F16C40A.
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2006-07-20 12:11
@zst_neil
通常高耐压的mos管的导通电阻(压降高)大,而且耐压越高导通电阻越大,(除了采用COOLMOS管芯的以外),igbt,是采用mos结构的双极器件导通电阻小(发热就少)高耐压,开关频率与mos管差不太多(关断稍慢)驱动两种电路可以一样,只是igbt输入电容较mos大故需提供更大的正负电压的驱动功率
IR2520D  用于CFL镇流器的控制集成电路
          特点:(1)运行频率可调
                (2)预热时间可调
                (3)灯丝开路和无灯保护
                (4)触发失败和无效灯保护
                (5)输入交流线电压过底保护
此产品很多商家还没有一定了解,但其作用有不可预见的成效,现有现货,有需要的厂家0755—83045292
673301605,货源不是很充足,但供应一两个厂家就足够,要货品短缺可以先预定
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2006-07-20 12:12
9435A现货热卖  
定货热线0755-83045292
QQ673301605
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hongtaidz
LV.3
21
2006-09-10 00:42
深圳市宏泰电子新亚洲经营部专营世界各种名牌电子元器件为主导的综合性元器件配套业务.主营:节能灯&照明的二、三极管,场效应管,集成电路,可控硅,电源IC 等.“信誉第一,货源稳定,交货快捷,价格合理”是本公司的经营综旨.良好的售后服务,更深得客户的信赖.期望在新老客户的热情支持下,创造出更大的竞争优势,为客户提供更具竞争力的合作.
在电源与照明产品上,我们经营的产品主要有国际品牌的FSC、ST、IR、TI等功率器件和IC.
一、 ST、FSC、IR、TI等电源管理IC
VIPER12A、VIPER22A、VIPER53A、VIPER100A、KA5H0165R/RN、KA5L0380R、KA5M02659R
KA5M0265R、KA5M0365R、FSDM0265RN、FSDM0365RNB、UC3842/43/45、KA3525、L6561/D、L6562/D、L656/D、L6569A/D、L6574A/D、MC34063、IR2103、I2153、IR2156等.
二、 IR、FSC、ST等MOSFET、IGBT
IRFP150/250/450/460、IRF530/540/630/634/640/644/730/740/830/840、IRF1010E、IRF3205、IRF2807、IRF3710、STP60NF06、STP75NF75、SSU1N60B、FQU2N60C、SSS4N60B、FQPF5N60C
SSS7N60B、FQP9N50C、FQPF10N60C、FQPF12N60C、FQA9N90C、FQA11N90C、FQP50N06、FQP10N20C、FQP19N20C、FG25N120AN等.
三、 FSC、ST品牌的功率管及三端稳压、四端稳压
13001、13002、13003、3303、13005、3305、13007、13009、KA7805-KA7824、KA7905-KA7924、
L7805CV-7824CV、L7905CV-L7924CV、KA78R05、KA78R12、KA278R05-KA278R33
四、 二极管
1/2W、DB3、1N4001-1N4007、1N5399、1N5401、1N4148、FR107、SR260/360/560

地址:深 圳 市 福 田 区 中 航 路 新 亚 洲 电 子 城 2A018
TEL:0755-61329515 82811949 13622375009 13724397677  FAX:0755-61329525 QQ:870075 MSN:wwwmmm28@msn.com
联系人:姚小姐
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kansom
LV.4
22
2006-09-27 22:43
**此帖已被管理员删除**
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zhou010721
LV.2
23
2006-09-28 09:16
@kansom
**此帖已被管理员删除**
H20R120和FGA25N120 价格分别多少(批量含税)  zhou010721@tom.com    0512-68073603
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jeff_wu2006
LV.1
24
2009-09-18 13:27
@han9934087
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同.1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXYS有一款MOSFET,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫欧),这是电流最大的一款;电压高的一款IXFN38N100Q2(1000V,38A)这个是目前推广最多的产品,用于高频感应加热.2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3,就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域
高手.简介又明了.
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