不是IC问题,请问一下哥们做的是什么参数啊.
如MOS发热有几重原因,1,你做的日光灯的输出电流比较大,使用的MOS管的导通电阻也大导致管的损耗大 发热比较明显.
建议换RD比较小的MOS管,还有电感的尺寸也会影响效率,MOS管发热,建议用尺寸大一点EFD15.
2,功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗.要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗.开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以可以从以下几个方面解决:a:不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大.如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了.b:剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响.频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高.想办法降低频率吧!不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域.如果电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了.
如有请联系我,13651711805
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