请教一下MOSFET规格参数Ear Eas的理解,和使用rating的问题.

自己顶顶,

希望尽快有人有空回答我的疑问啊:)

VDS是规格书上给你的最大额定工作电压,在使用的时候最好不要超过这个电压,当然了,你超过一点点也有可能会没有问题,因为器件生产商会留有大约10%的余量的.

关断的时候浪涌电压不超过额定电压就基本没有危险,超过额定电压而不达到击穿电压这时候有可能有危险,但是超过击穿电压就一定会雪崩击穿.

使用的时候可以参照器件datasheet给出的SOA,使用的范围尽量限制在SOA之内.

EAR和EAS是MOSFET的雪崩耐量的两个值:EAS指的是单脉冲雪崩能量,EAR指的是重复脉冲雪崩能量.

在雪崩的时候,flyback产生的电压会超过额定电压值,因为这个时候的break voltage大于额定电压.

关键词：MOSFET

谢谢 命运宠爱

所谓的击穿电压是指哪个spec 参数啊?

"超过额定电压而不达到击穿电压这时候有可能有危险,但是超过击穿电压就一定会雪崩击穿"

你可以关注一下器件的datasheet,关于BVDSS的说明是:
VGS=0,IDSS=250uA时的VDS电压值.

如果你有用图示仪看BV曲线,你就知道,击穿电压就是器件DS上电压达到能够使器件内置晶体管发生导通的电压,这个时候漏电流会迅速的变大.

为什么我们通常看Mosfet的Datasheet, Vds(contious)=V(br)dss,这两者一般V(br)dss要高一些才对啊？

**此帖已被管理员删除**

EAS 指得是瞬間承受最大能量的接受度 , 跟MOSFET的芯粒大小 / 封裝材質 / 打線粗細 , 有相當大的關係 ..... WWW.ALFA-MOS.COM

VDS(continuous)是最大直流工作电压。

VBRDSS给出的是最小值，实际BV会比min值高10%以上

spike超过VDS的情况不一定损坏，如果厂家100%通过雪崩测试，Ispike x VDS x Tspike <=0.1Ear 是没有问题的